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自营结果数3
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参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 205mΩ@4.5V
描述汽车用功率 MOSFET，60V，155 mΩ，单 N 沟道， 逻辑电平，SOT?23 AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 收藏
- 对比
- ￥1.9038
- ￥1.5118
- ￥1.3438
- ￥1.005
现货最快4小时发货
- 现货
- 2195
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交26单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 86mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥1.369235
- ￥1.086705
- ￥0.965675
- ￥0.814625
- ￥0.747365
- ￥0.70699
现货最快4小时发货
- 现货
- 10
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 125mΩ@4.5V
描述应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式设备电池管理。逻辑电平转换
- 收藏
- 对比
- ￥0.435
- ￥0.3453
- ￥0.3004
- ￥0.2555
- ￥0.2286
- ￥0.2151
现货最快4小时发货
- 现货
- 9230
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交14单
