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- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5Ω@10V
描述N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.9Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 830mW
描述数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：350mW 阈值电压(Vgs(th))：1.6V
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 190mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5Ω@10V
描述N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
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- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5Ω@10V
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.05Ω@4.5V
描述2N7002K 1个N沟道 防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述特性：ESD保护。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。 无卤。应用：专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4Ω@4.5V
描述小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.1A, Rdson：2000mR
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述这款N型场效应管具有0.3A的电流处理能力和60V的电压承受能力。其内阻典型值为1000mΩ，VGS为20V。适用于需要低功耗和高效率的电子系统，如电源管理、信号放大和数据转换等应用。
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