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- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- Nexperia(安世)
- GOODWORK(固得沃克)
- JSMSEMI(杰盛微)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- PAKER(派克微)
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多选 - 封装
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自营结果数8
型号/品牌/封装/类目
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述NPN 开关晶体管,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
- 直流电流增益(hFE)
- 300@150mA,10V
描述1.体积小,可靠性高。 2.质量高,交货敏捷 3.AEC-Q200验证 4.应用于汽车电子
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描述晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 耗散功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE):300
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性:外延平面管芯结构。 提供互补PNP型(MMBT2907A)
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子等
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替代参考
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
- 直流电流增益(hFE)
- 300@150mA,10V
描述此款NPN型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流(IC)和40V的最大集电极-发射极电压(VCEO),适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益(HFE)范围为100至300,保证了信号放大的稳定性和效率。此外,该三极管的过渡频率(FT)达到300MHz,展示了它在高频应用中的卓越性能。这种特性使得它非常适合于通信设备、音频放大器及其他要求高速响应和精确放大的电子装置中,是构建高效能电路的理想元件选择。
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