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NPN 电流:600mA 电压:40V
PMBT2222A,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C23869
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
250mW

描述NPN 开关晶体管,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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PMBT2222A,215-JSM
PMBT2222A,215-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C53113899

描述晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 耗散功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE):300

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近期成交1单

电流:600mA 电压:40V
PMBT2222A,215-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42459025
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW
直流电流增益(hFE)
300

描述1.体积小,可靠性高。 2.质量高,交货敏捷 3.AEC-Q200验证 4.应用于汽车电子

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近期成交2单

PMBT2222A/DG,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
-
类目
三极管(BJT)
编号
C6148231

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替代参考
NPN 电流:600mA 电压:40V
PMBT2222A
品牌
PAKER(派克微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C5278876
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子等

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替代参考
NPN 电流:600mA 电压:40V
MMBT2222A
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C3018496
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:外延平面管芯结构。 提供互补PNP型(MMBT2907A)

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替代参考
NPN 电流:600mA 电压:40V
PMBT2222A-GK
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C49242203
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW

描述三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域

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替代参考
电流:600mA 电压:40V
PMBT2222A-HXY
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C46682380
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW

描述此款NPN型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流(IC)和40V的最大集电极-发射极电压(VCEO),适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益(HFE)范围为100至300,保证了信号放大的稳定性和效率。此外,该三极管的过渡频率(FT)达到300MHz,展示了它在高频应用中的卓越性能。这种特性使得它非常适合于通信设备、音频放大器及其他要求高速响应和精确放大的电子装置中,是构建高效能电路的理想元件选择。

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