- 类目
- 三极管(BJT)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
多选 - 品牌
- Nexperia(安世)
- JSMSEMI(杰盛微)
- MSKSEMI(美森科)
- NXP(恩智浦)
- 晶导微电子
- TECH PUBLIC(台舟)
- GOODWORK(固得沃克)
- PAKER(派克微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ChipNobo(无边界)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- DFN1006-3(SOT-883)
- SOT-563
- DFN-3(1x1)
- DFN-6(1.2x1.4)
- SOD-323(SC-90)
- SOT-723
- TSSOP-6
- -
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.1021
- ￥0.078
- ￥0.0673
- ￥0.0592
- ￥0.056
- ￥0.0539
- 现货
- 29K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子等
- 收藏
- 对比
- ￥0.065
- ￥0.0499
- ￥0.0449
- ￥0.0398
- ￥0.0354
- ￥0.0331
- 现货
- 115K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述NPN 开关晶体管，采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 收藏
- 对比
- ￥0.099
- ￥0.0766
- ￥0.0642
- ￥0.0568
- ￥0.0503
- ￥0.0468
- 现货
- 5850
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交25单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 440mW
描述NPN开关晶体管采用超小型DFN1010D-3 (SOT1215)无铅表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面焊盘可见且可焊接。
- 收藏
- 对比
- ￥0.4028
- ￥0.3244
- ￥0.2853
- ￥0.2559
- ￥0.2323
- ￥0.2206
- 现货
- 4120
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述NPN 开关晶体管，采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 收藏
- 对比
- ￥0.521
- ￥0.413
- ￥0.3591
- ￥0.3186
- 现货
- 1600
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
描述这款是NPN型BJT三极管,电流的信号放大,中等频率信号处理。广泛应用于消费电子、通信设备以及各种家用电器等领域。
- 收藏
- 对比
- ￥0.08183
- ￥0.06307
- ￥0.05271
- ￥0.04648
- ￥0.04109
- ￥0.03815
- 现货
- 6350
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：60V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：300
- 收藏
- 对比
- ￥0.0756
- ￥0.0593
- ￥0.0503
- 现货
- 5150
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：60V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：300
- 收藏
- 对比
- ￥0.0756
- ￥0.0593
- ￥0.0503
- 现货
- 5650
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述此款DFN1006-3封装晶体管，卓越的性能，超小外形表面贴装封装，这样的封装有助于减小电路板空间占用，并适应高密度电子设计的需求。广泛应用于各类低功率开关电路、音频放大器、逻辑电平转换以及通用的小信号放大场合，尤其适用于需要低功耗和紧凑尺寸的应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1197
- ￥0.0927
- ￥0.0777
- ￥0.0712
- ￥0.0634
- ￥0.0592
- 现货
- 4400
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域
- 收藏
- 对比
- ￥0.0451
- ￥0.0354
- ￥0.03
- ￥0.0267
- ￥0.0239
- ￥0.0224
- 现货
- 200
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述此款NPN三极管（BJT）具备0.2A的集电极电流
- 收藏
- 对比
- ￥0.0611
- ￥0.0476
- ￥0.0401
- ￥0.0356
- ￥0.0317
- ￥0.0296
- 现货
- 2900
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交20单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 230mW
描述NPN/NPN 通用双晶体管，采用 SOT363 (SC-88) 超小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.4068
- ￥0.40002
- ￥0.38985
- ￥0.3729
- 库存
- 30K
- 增量
- 3000
- 最小包装
- 3000个
总额￥0
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 240mW
描述采用SOT666超小扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN/NPN双开关晶体管。
- 收藏
- 对比
- ￥2.5511
- ￥2.17
- ￥2.0067
- ￥1.803
- ￥1.7123
- ￥1.6578
- 现货
- 0
4000个/圆盘
总额￥0
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 300
描述1.体积小 2.防止高频共模噪声。 3.AEC-Q200验证 4.用于汽车CAN总线系统
- 收藏
- 对比
- ￥0.049
- ￥0.0376
- ￥0.0313
- 现货
- 100
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 325mW
描述双NPN开关晶体管，采用超小型DFN1412-6 (SOT1268) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 收藏
- 对比
- ￥0.7841
- ￥0.6274
- ￥0.5491
- ￥0.4903
- ￥0.4433
- ￥0.4198
- 现货
- 10
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.2047
- ￥0.2004
- ￥0.1976
- 现货
- 30
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 590mW
描述NPN单开关晶体管，采用SOT883 (SC-101)无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥1.71
- ￥1.68
- ￥1.65
- 库存
- 90K
- 增量
- 10000
- 最小包装
- 10000个
总额￥0
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 590mW
描述NPN单开关晶体管，采用无铅超小DFN1006B-3 (SOT883B)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号为PMBT3906MB。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.155655
- ￥0.14989
- ￥0.144125
- ￥0.132595
- ￥0.129136
- 库存
- 300K
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 收藏
- 对比
- ￥0.9359
- ￥0.3734
- ￥0.361
- ￥0.3548
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 360mW
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥17.13
- ￥6.63
- ￥6.4
- ￥6.28
- 现货
- 0
4000个/袋
总额￥0
- 收藏
- 对比
- ￥17.13
- ￥6.63
- ￥6.4
- ￥6.28
- 现货
- 0
10000个/袋
总额￥0
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：作为互补类型，推荐使用NPN晶体管PMBT3904
- 收藏
- 对比
- ￥0.0524
- ￥0.0406
- ￥0.034
- ￥0.03
- 现货
- 7050
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述采用SOT23（TO - 236AB）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP开关晶体管。NPN互补型号：PMBT3904。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2218
- ￥0.1827
- ￥0.161
- ￥0.148
- ￥0.1365
- ￥0.1304
- 现货
- 0
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
描述晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A
- 收藏
- 对比
- ￥0.1496
- ￥0.1172
- ￥0.0992
- ￥0.0884
- ￥0.0761
- ￥0.071
- 现货
- 3240
8000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
