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工业品面板定制

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- 三极管(BJT)
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- Nexperia(安世)
- AnBon(安邦)
- GOODWORK(固得沃克)
- JSMSEMI(杰盛微)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- PAKER(派克微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ChipNobo(无边界)
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NPN 电流:200mA 电压:40V

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C8667

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 250mW

描述NPN,Vceo=40V,Ic=200mA

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PMBT3904,215-JSM

PMBT3904,215-JSM

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C53113860

描述晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：60V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：300

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电流:200mA 电压:40V

PMBT3904,215-CN

品牌: ChipNobo(无边界)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C42459028

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

直流电流增益(hFE): 300

描述1.体积小 2.防止高频共模噪声。 3.AEC-Q200验证 4.用于汽车CAN总线系统

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NPN 电流:200mA 电压:60V

品牌: PAKER(派克微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5278868

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 200mW

描述SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子等

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MMBT3904 hFE:100-300 NPN 晶体管电流：200mA 电压：40V

品牌: CCX(晁禾)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C51953474

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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电流:200mA 电压:40V

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C49242204

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域

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NPN 电流:0.2A 电压:40V

品牌: FUXINSEMI(富芯森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C908260

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：与MMBT3906互补

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电流:200mA 电压:40V

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C46682375

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述此款NPN三极管（BJT）具备0.2A的集电极电流

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品牌: AnBon(安邦)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C25112587

描述NPN 硅外延平面三极管，SOT-23 封装，IC=200mA，VCEO=40V，hFE=100-300，PC=200mW，适用于通用放大、开关电路TJ=-55~+150℃

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