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- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- Nexperia(安世)
- GOODWORK(固得沃克)
- JSMSEMI(杰盛微)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
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多选 - 封装
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价格/库存筛选
自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.1449
- ￥0.1162
- ￥0.1003
- ￥0.0908
- ￥0.0825
- ￥0.078
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- 广东仓
- 29K+
3000个/圆盘
个
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近期成交100单+
描述晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：300
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- 对比
- ￥0.0797
- ￥0.0626
- ￥0.053
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- 广东仓
- 2950
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述1.体积小 2.防止高频共模噪声。 3.AEC-Q200验证 4.应用于汽车CAN总线系统
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥0.04655
- ￥0.03572
- ￥0.029735
- ￥0.026125
- ￥0.02299
- ￥0.02128
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- 广东仓
- 1550
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交6单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0393
- ￥0.0307
- ￥0.0259
- ￥0.023
- ￥0.0205
- ￥0.0192
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- 广东仓
- 177K+
3000个/圆盘
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近期成交40单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：互补类型，采用推荐的外延平面管芯结构。标记：2A
- 收藏
- 对比
- ￥0.0481
- ￥0.0373
- ￥0.0313
- ￥0.0285
- ￥0.0254
- ￥0.0237
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- 10K+
3000个/圆盘
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总额￥0
近期成交34单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域
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- 对比
- ￥0.0451
- ￥0.0354
- ￥0.03
- ￥0.0267
- ￥0.0239
- ￥0.0224
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- 广东仓
- 1700
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交11单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述此款PNP型三极管（BJT）适用于广泛的应用场景，具备集电极电流IC为0.2A的处理能力，最大集电极-发射极电压VCEO可达40V，确保了在不同工作条件下的稳定性。其直流电流增益HFE范围在100至300之间，表明具有良好的放大性能。此外，该三极管的过渡频率FT为300MHz，显示出优秀的高频响应特性，使其特别适合于需要高效率信号放大和处理的场合。其参数配置使之成为音频设备及其他电子装置中不可或缺的组件。
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9.5折
- ￥0.05947
- ￥0.046645
- ￥0.03952
- ￥0.035245
- ￥0.03154
- ￥0.029545
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- 广东仓
- 2800
3000个/圆盘
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总额￥0
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