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- 肖特基二极管
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- HXY MOSFET(华轩阳电子)
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操作
- 二极管配置
- 1个独立式
- 正向压降(Vf)
- 500mV@200mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述特性:超小模具类型(EMD2)。 低正向电压(VF)。 高可靠性。应用:一般整流
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- 对比
- 二极管配置
- 独立式
- 正向压降(Vf)
- 500mV
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述这款肖特基二极管具备0.2A的正向平均整流电流(IF)及30V的反向耐压(VR),适用于多种电子设备。其正向电压降(VF)为0.5V,有助于减少电路中的能量损耗。该器件的反向漏电流(IR)低至30μA,表现出色的绝缘性能。同时,它能够承受1A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),增强电路在瞬态情况下的可靠性。此款二极管适合用于需要高效率和稳定性的各类消费电子产品中。
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3000个/圆盘
个
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替代参考
- 二极管配置
- 独立式
- 正向压降(Vf)
- 500mV@200mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述这款SOD-523封装肖特基二极管,具有30V反向耐压和0.2A正向电流容量,其超低正向导通电压VF仅为0.5V,特别适用于低压差、高效能的整流应用。小型化设计使其成为便携式设备、电源转换器及电池保护电路的理想选择。
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