RB521S30T1G-DW

品牌

DOWO(东沃)

封装

SOD-523

类目

肖特基二极管

编号

C27636108

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

500mV@200mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述特性：小表面贴装类型。 高电流能力。 低反向电流和低正向电压。 高可靠性

RoHSSMT扩展库

RB521S30T1G-GK

品牌

GOODWORK(固得沃克)

封装

SOD-523

类目

肖特基二极管

编号

C42395479

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

600mV@200mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述电压:30V 电流:200mA

RoHS

RB521S30T1G(MS)

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOD-523

类目

肖特基二极管

编号

C22399254

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

500mV@200mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述此款肖特基采用SOD-523封装,正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,平均整流电流(Io):200mA由于其小尺寸、低正向电压特性和较高的浪涌能力，可适用于各种需要高效能、高频开关和/或电压钳位的应用，如DC-DC转换器、电池保护电路、电压调节模块、便携式电子设备等满足你的电路设计需求

SMT扩展库

RB521S30T1G-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOD-523

类目

肖特基二极管

编号

C52754543

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

350mV@10mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低功耗；反向漏电流（IR）为30μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频信号检波、电源极性保护及小型电子设备中的续流路径等应用场景。

SMT扩展库

NSVRB521S30T1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOD-523

类目

肖特基二极管

编号

C893985

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

500mV@200mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

RoHS

RB521S30T1G

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOD-523

类目

肖特基二极管

编号

C53100378

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

500mV@200mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

SMT扩展库

LRB521S-30T1G

品牌

LRC(乐山无线电)

封装

SOD-523

类目

肖特基二极管

编号

C83681

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

500mV

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序（PPAP）能力。 极快的开关速度。 极低的正向电压：在IF = 200 mA时，最大为0.5V。 低反向电流。应用：低电流整流。 高速开关

RB520S-30

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOD-523

类目

肖特基二极管

编号

C727121

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

600mV@200mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述特性：极小的表面贴装类型。 高可靠性。应用：低电流整流。 高速开关应用

RoHSSMT扩展库

RB521S-30

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOD-523(SC-79)

类目

肖特基二极管

编号

C908246

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

500mV@200mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述特性：适用于低电压、高频逆变器。 用于续流和极性保护应用

SMT扩展库