- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- onsemi(安森美)
- VBsemi(微碧半导体)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TI(德州仪器)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Siliup(矽普)
多选 - 封装
- TO-220
- TO-220F
- -
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ
描述此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA09526。
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- 对比
- ￥9.79
- ￥8.29
- ￥7.35
- ￥6.38
- ￥5.94
- ￥5.75
- 现货
- 29
- 在途
- 860
50个/管
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@10V
描述本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至17mΩ，栅源电压VGS最大支持20V。该器件适用于多种高效率功率电路应用，如电源转换、电机控制、储能系统及高频开关电路，具备优异的热稳定性和低损耗特性，适合对性能和可靠性有较高要求的电子系统设计。
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- ￥4.58
- ￥3.72
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- 现货
- 98
50个/管
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近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
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近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 358W
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
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- ￥1.800444
- ￥1.75467
- ￥1.708896
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- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
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- 300K
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@10V
RoHSSMT扩展库
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- ￥1.5
- ￥1.45
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50个/管
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@10V
SMT扩展库
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- ￥2.04
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- ￥1.69
- ￥1.63
- ￥1.61
- 现货
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总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@10V
描述VD MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：50A，RDSON：17mR
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- ￥1.4533
- ￥1.2796
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- 290
50个/管
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近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
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- ￥2.873
- ￥2.652
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- 1000
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- 最小包装
- 1个
总额￥0
