KSI2301CDS-T1-GE3

品牌

KUU

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2891843

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

110mΩ@4.5V

描述特性：采用TrenchFET功率MOSFET

RoHSSMT扩展库

SI2301CDS-T1-GE3-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5343291

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

70mΩ@4.5V

描述这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

SMT扩展库

SI2301CDS-T1-GE3-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22367037

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

2.3A

导通电阻(RDS(on))

170mΩ@2.5V

描述SI2301CDS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装技术，专为低功耗及高集成度设计。其关键特性包括工作电压VDSS高达20V，可承载2.3A连续漏极电流，提供出色的电力管理能力。导通电阻RD(on)仅为95mR，有效减少能源消耗，提升系统能效。SI2301CDS-T1-GE3 MOS管凭借卓越的开关性能、小巧封装尺寸及高稳定性，广泛应用于电源开关控制、电池保护、便携式电子设备等多元化场景，是您优化电路设计的理想半导体元件。

SMT扩展库

KSI2301CDS-T1-GE3

品牌

KUU

封装

SOT-23-3L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2891682

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

115mΩ@2.5V

描述特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

RoHSSMT扩展库

SI2301CDS-T1-GE3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5438957

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3.5A

导通电阻(RDS(on))

60mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

SMT扩展库

SI2301CDS-T1-GE3-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5224168

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

2A

导通电阻(RDS(on))

82mΩ@4.5V

描述P沟道，-20V，-2A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

RoHSSMT扩展库

JSM2301S

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C916399

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

1.8A

导通电阻(RDS(on))

135mΩ@4.5V；185mΩ@2.5V

描述适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

SMT扩展库

SI2301CDS

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5290223

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

142mΩ@2.5V

描述特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC 转换器

SMT扩展库

SP2301T2

品牌

Siliup(矽普)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41354955

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

60mΩ@4.5V；80mΩ@2.5V

描述小电流MOSFET产品，P沟道，耐压：-20V，电流：-3A, Rdson：80mR

WST2301

品牌

WINSOK(微硕)

封装

SOT-23N

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C719075

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

2.9A

导通电阻(RDS(on))

100mΩ@4.5V

RoHSSMT扩展库

CCX2301BA

品牌

CCX(晁禾)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C51953473

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

58.6mΩ@4.5V

描述2301BA 1个P沟道 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

SMT扩展库

WST2305

品牌

WINSOK(微硕)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C148342

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

4.4A

导通电阻(RDS(on))

90mΩ@2.5V

描述Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -4.4 VGS(th)(v) -0.8 RDS(ON)(m?)@4.46V 50 Qg(nC)@4.5V 10.2 QgS(nC) 1.89 Qgd(nC) 3.1 Ciss(pF) 857 Coss(pF) 114 Crss(pF) 108

RoHSSMT扩展库

HSS2301C

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C518801

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

2A

耗散功率(Pd)

1W

描述HSS2301C是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS2301C符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

RoHSSMT扩展库

AO3423-L-TWGMC

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOT-23-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C52117614

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

导通电阻(RDS(on))

70mΩ@4.5V

耗散功率(Pd)

1.56W

描述数量1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)3A 导通电阻(RDS(on))70mΩ@4.5V

SMT扩展库

BSS215P-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7462823

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

120mΩ@2.5V

描述适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

SMT扩展库

WST3423

品牌

WINSOK(微硕)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C148343

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

2.9A

导通电阻(RDS(on))

130mΩ@4.5V

描述WST3423是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST3423符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。

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