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价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 192mΩ@4.5V
描述N沟道,60V,2.3A,156mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.9153
- ￥0.8475
- ￥0.8136
- ￥0.7797
- ￥0.7458
订货7-9个工作日
- 库存
- 119K
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 75mΩ@10V
描述Si2308BDS-T1-GE3 型号MOS管，采用小巧的SOT-23-3L封装，适应各类微小空间内集成应用。这款高性能N沟道MOSFET支持高达60V的工作电压，并能在稳定状态下承载4.5A的漏极电流，确保在多种高压大电流条件下可靠运行。其导通电阻低至70mΩ，有效提高了能源转化效率并减少了系统内部能耗。广泛运用于电源管理、马达驱动、负载切换等多种场景，是打造高效节能电子设备的关键组件。
- 收藏
- 对比
7折
- ￥0.60732
- ￥0.47698
- ￥0.41181
- ￥0.36288
- ￥0.32382
- ￥0.30422
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1430
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 75mΩ@10V；86mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥1.176825
- ￥0.924035
- ￥0.815745
- ￥0.680595
- ￥0.620415
- ￥0.58429
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 170
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交7单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 105mΩ@10V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ￥0.4353
- ￥0.3456
- ￥0.3007
- ￥0.2499
- ￥0.223
- ￥0.2095
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 8000
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交71单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 85mΩ@10V
描述1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥0.1976
- ￥0.15656
- ￥0.13376
- ￥0.12008
- ￥0.108205
- ￥0.10184
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5980
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交19单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@10V
描述特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
- 收藏
- 对比
9折
- ￥0.23562
- ￥0.1881
- ￥0.16434
- ￥0.13563
- ￥0.12141
- ￥0.1143
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5780
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交18单
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