SI2309CDS-T1-GE3

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5350873

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

1.6A

导通电阻(RDS(on))

240mΩ@4.5V

描述特性：VDS =-60V, ID =-1.6A。 RDS(ON) < 200mΩ @VGS =-10V。 RDS(ON) < 240mΩ @VGS =-4.5V。应用：负载/电源切换。 接口切换

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SI2309CDS-T1-GE3-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5343293

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

1.8A

导通电阻(RDS(on))

200mΩ@10V

描述特性：60V, -1.8A, RDS(ON) = 200mΩ@VGS = -10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可选。应用：电机驱动。 电动工具

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SI2309CDS-T1-GE3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558250

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

3.8A

导通电阻(RDS(on))

50mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23；P—Channel沟道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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SI2309CDS-T1-GE3-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22366725

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

2A

导通电阻(RDS(on))

200mΩ@4.5V

描述SI2309CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，适用于空间紧凑的高效电路设计。该器件具备60V的漏源电压额定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的导通电阻下稳定传递2A漏极电流(ID)。广泛应用于电源管理、电池保护电路、负载开关等场景，凭借其出色的电压耐受力与良好的电流控制特性，成为您提升系统效能和可靠性的理想半导体组件。

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SI2309CDS-T1-GE3-CN

品牌

ChipNobo(无边界)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42436847

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

2A

导通电阻(RDS(on))

168mΩ@10V；185mΩ@4.5V

FS2309

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3018483

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

1.6A

导通电阻(RDS(on))

250mΩ@4.5V

描述特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

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SP60P140T2

品牌

Siliup(矽普)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41354820

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

1.8A

导通电阻(RDS(on))

140mΩ@10V

描述小电流MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-1.8A, Rdson：140mR

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HSS6107

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

SOT-23L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C508450

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

1.7A

导通电阻(RDS(on))

180mΩ@4.5V

描述是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。100%保证EAS，有绿色器件可选，具有超低栅极电荷，能出色降低CdV/dt效应，采用先进的高单元密度沟槽技术。

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