SI2323DS-T1-E3-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5343295

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

4.5A

导通电阻(RDS(on))

40mΩ@4.5V

描述P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。

SMT扩展库

Si2323DS-T1-E3-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22366437

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

5A

导通电阻(RDS(on))

60mΩ@2.5V

描述Si2323DS-T1-E3 是一款P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为紧凑电子设计提供高集成度解决方案。该器件特性显著具备20V的最大工作电压VDSS，可安全承载5A的连续漏极电流；其低至30mΩ的导通电阻RD(on)，旨在最大限度地降低功耗，提升系统能效。适用于电源转换、负载开关、电池保护等广泛应用场景，是您追求节能与高性能的理想MOS管器件选择。

SMT扩展库

SI2323DS-T1-E3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C45662597

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

5A

导通电阻(RDS(on))

67mΩ@1.8V

描述台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-5A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.45~-1V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。

SI2323DS

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5182044

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

4.1A

导通电阻(RDS(on))

39mΩ@4.5V；58mΩ@2.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

SMT扩展库

SP2305LT2C

品牌

Siliup(矽普)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41354959

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3.7A

导通电阻(RDS(on))

44mΩ@4.5V

描述小电流MOSFET产品，P沟道，耐压：-20V，电流：-3.7A, Rdson：44mR

SMT扩展库

HSS2305A

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C518799

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

4.9A

导通电阻(RDS(on))

45mΩ@4.5V

描述HSS2305A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSS2305A符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

RoHSSMT扩展库

VB2240

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42412478

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

5A

导通电阻(RDS(on))

67mΩ@1.8V

描述SOT23；P—Channel沟道,-20V；-5A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.45~-1V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。