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- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 67mΩ@1.8V
描述台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-5A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.45~-1V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 12V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@4.5V
描述特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 。 TrenchFET 功率 MOSFET。应用：负载开关。 PA 开关
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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@4.5V
描述应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
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替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 18V 连续漏极电流(Id): 7A
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近期成交3单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 12V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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