- 类目
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 品牌
- TECH PUBLIC(台舟)
- Littelfuse(美国力特)
- BORN(伯恩半导体)
- GOODWORK(固得沃克)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- MSKSEMI(美森科)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ElecSuper(静芯)
多选 - 封装
- SOT-143
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5.5V
- 钳位电压
- 8.5V
- 反向电流(Ir)
- 100nA
- 通道数
- 三路
描述该表面贴装阵列系列可抑制静电放电（ESD）和其他瞬态过电压事件。这些器件用于满足国际电气兼容性（IEC 瞬态抗扰度标准 IEC 61000-4-2 静电放电要求），可帮助保护数据、信号或控制线上的敏感数字或模拟输入电路，其电压最高可达 5VDC。这些单片硅阵列由专门设计的瞬态电压抑制（TVS）结构组成。这些结构的尺寸和形状经过定制，以实现瞬态保护。低电容和钳位电压使其非常适合高速信号线保护。
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- 对比
- ￥1.9317
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- 8560
3000个/圆盘
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- 极性
- 单向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5.5V
- 钳位电压
- 14V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 10A@8/20us
描述VRWM:5.5V, IPP:10A, CJ:30pF
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- 44K+
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近期成交100单+
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5.5V
- 钳位电压
- 14V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 10A@8/20us
- 峰值脉冲功率(Ppp)
- 150W@8/20us
描述这款静电放电(ESD)为电压敏感部件提供保护。绝佳的箱位功能、低泄漏和快速响应时间为接触ESD的设计提供了业内最佳的保护。由于尺寸小，因此适用于智能手机、智能手表或板空间非常宝贵的其它许多便携式/可穿戴应用.
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- 13K+
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近期成交53单
- 极性
- 双向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5V
- 钳位电压
- 10V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 10A
描述ESD静电防护在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能，是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。
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- 极性
- 双向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5V
- 钳位电压
- 17V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 10A@8/20us
描述丝印503B
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近期成交17单
- 极性
- 单向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5V
- 钳位电压
- 15V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 4A@8/20us
描述5.0V低容3路单向ESD静电防护器件，20kV，CJ：0.6pF；HDMI/USB/RJ45高速接口通讯防护。
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- 3000
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近期成交17单
- 极性
- 单向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5V
- 钳位电压
- 14V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 4A@8/20us
描述特性：70 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 0.35pF 典型值，I/O 到 I/O)。应用：USB2.0。 以太网
RoHS
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- 反向截止电压(Vrwm)
- 5V
- 钳位电压
- 15V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 10A
- 峰值脉冲功率(Ppp)
- 150W
描述这款SOT-143封装单向ESD静电防护二极管，采用3通道设计，具有5V工作电压耐受值VRWM，能有效防止过电压损坏。器件在每个通道上可承受高达10A的瞬态峰值电流IPP，并配置了较低结电容CJ为30pF，在提供强劲多通道ESD保护的同时，确保高速信号传输不被干扰，适用于对防静电性能有高要求的复杂系统接口。
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- ￥0.5025
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- 240
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近期成交2单
- 极性
- 单向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5V
- 钳位电压
- 13V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 5A
描述特性：保护一条双向I/O线。 低钳位电压。 低工作电压：5.0V。 符合RoHS标准。应用：火线和USB。 敏感模拟输入
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- 1680
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近期成交9单
