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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- REASUNOS(瑞森半导体)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
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价格
库存
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价格/库存筛选
自营结果数2
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 17A
- 导通电阻(RDS(on))
- 290mΩ@10V
描述N沟道,800V,17A,0.29Ω@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥13.2
- ￥12.84
订货1-3个工作日
- 库存
- 3000
- 增量
- 500
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 220mΩ@10V
描述超结MOS，高浪涌要求LED驱动、适配器（印度市场等），设备电源
- 收藏
- 对比
7折
- ￥6.062
- ￥5.173
- ￥4.69
- ￥4.137
- ￥3.892
- ￥3.78
现货最快4小时发货
- 现货
- 207
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
