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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 20.7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 190mΩ@10V
描述特性：新的革命性高压技术。全球最佳的导通电阻RDS(on)（TO 220封装）。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 收藏
- 对比
- ￥11.43
- ￥9.63
- ￥7.87
- ￥6.76
- ￥6.26
现货最快4小时发货
- 现货
- 841
50个/管
个
总额￥0
近期成交38单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 190mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥17.7
- ￥15.15
- ￥12.46
- ￥10.82
- ￥10.08
- ￥9.76
现货最快4小时发货
- 现货
- 46
50个/管
个
总额￥0
近期成交3单
