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1个N沟道 耐压:650V 电流:20.7A
SPA20N60C3XKSA1
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5274170
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
20.7A
导通电阻(RDS(on))
190mΩ@10V

描述特性:新型革命性高压技术。 TO-220封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 PG-TO-220-3-31:全隔离封装(2500 VAC;1分钟)。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 通过JEDEC目标应用认证

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