SS41_SS41采购信息-立创电子元器件商城

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SS41F-JSM

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: TO-92S

类目: 霍尔开关

编号: C7496519

类型: 双极型

工作电压: 3V~60V

输出电流: 30mA

工作电流: 8mA

描述具有极强的抗噪能力，适用于各种消费类电子、汽车和工业控制等领域

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SMT补贴嘉立创库存23K+

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5+￥0.80936
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现货: 23K+

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近期成交37单

SS41F

品牌: Honeywell(霍尼韦尔)

封装: TO-92S

类目: 霍尔开关

编号: C134475

类型: 双极型

工作电压: 4.5V~24V

输出电流: 20mA

工作电流: 6.8mA

描述SS41F和SS41G是小型、多功能的数字霍尔效应器件，由永磁体或电磁铁产生的磁场驱动，旨在对交替的北极和南极做出响应。内置稳压器可在4.5 Vdc至24 Vdc的电源电压范围内增强运行稳定性，内部电路设计可防止在电源电压极性意外接反时损坏传感器。

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SMT补贴嘉立创库存84K+

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近期成交66单

SS41

品牌: Honeywell(霍尼韦尔)

封装: TO-92S

类目: 霍尔开关

编号: C150212

类型: 双极型

工作电压: 4.5V~24V

工作电流: 15mA

工作点(Gs): 15mT

描述Honeywell SloT 家族的磁性位置传感器包括数字和模拟霍尔效应位置、磁阻数字、霍尔效应叶片、齿轮齿、霍尔效应基本开关和磁铁。这些高速、长寿命传感器通常可直接与其他电子电路兼容，通过产生成比例的输出对磁场的存在或中断做出响应。齿轮齿和其他封装的霍尔效应速度和方向传感器可感应铁磁金属目标的运动。数字和模拟“仅传感器”设备由永磁体或电磁体操作，而驱动模式取决于所用磁铁的类型。叶片穿过间隙或安装在塑料柱塞上的磁铁可操作集成磁体位置传感器。

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立推

SS41

品牌: Honeywell(霍尼韦尔)

封装: TO-92S

批次: 26+

立推售价

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库存: 40K

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SLSS41F-9

品牌: Slkor(萨科微)

封装: TO-92S

类目: 霍尔开关

编号: C2904392

类型: 双极型

工作电压: 3V~60V

输出电流: 30mA

工作电流: 4.8mA

描述SLSS41F是一款耐高压双极霍尔开关芯片，采用高压bipolar工艺制程。该芯片内部由电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大电路、温度补偿电路、集电极开路输出电路组成。工作形式：输入磁感应强度，输出为数字电压信号。

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SMT补贴嘉立创库存455

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5+￥0.687135
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1000+￥0.402895
2000+￥0.360525
5000+￥0.33934

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现货: 455

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近期成交7单

HSS41F

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: TO-92S

类目: 霍尔开关

编号: C41381871

类型: 双极型

工作电压: 3.8V~60V

输出电流: 30mA

工作电流: 4.8mA

描述双极锁存霍尔开关是一种高性能磁敏器件，其工作电压范围宽广，从3.0V至60V，同时具备-60V的反向保护电压，能够承受较极端的电压波动。该器件在磁场强度达到45Gs时触发并保持状态，直到相反方向的磁场再次达到45Gs才会释放，展现出稳定的磁滞特性。其工作温度范围宽泛，可在-40至150℃之间正常运行，适合于苛刻环境下的应用。此开关适用于需要精准磁感应的各种场合，如智能设备中的位置检测、家用电器的无触点控制以及便携式电子产品的状态监测等。

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SMT补贴嘉立创库存450

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现货: 450

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近期成交5单

双极型霍尔传感器，输入电压3.3~26V，输出电压范围-0.3~28V，输出最大电流25mA，TYP BOP 35GAUSS，TYP BRP -35GAUSS

SS41F-ES

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: TO-92S

类目: 霍尔开关

编号: C23067568

工作电压: 3.3V~26V

输出电流: 25mA

工作电流: 3mA

工作点(Gs): 3.5mT

描述高性价比、高灵敏度、高抗ESD霍尔传感器

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SMT补贴嘉立创库存158

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5+￥0.57
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现货: 155

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近期成交10单

SS41G

品牌: Honeywell(霍尼韦尔)

封装: SIP-3

类目: 霍尔开关

编号: C2942275

类型: 双极型

工作电压: 4.5V~24V

输出电流: 20mA

工作电流: 6.8mA

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SMT补贴嘉立创库存78

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预售商品

SS41-S

品牌: Honeywell(霍尼韦尔)

封装: SMD-3P

类目: 霍尔开关

编号: C17539978

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200+￥1.26
500+￥1.21
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预售商品

SS41-T3

品牌: Honeywell(霍尼韦尔)

封装: -

类目: 霍尔开关

编号: C17659703

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1+￥66.4
200+￥26.5
500+￥25.61
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5000个/圆盘

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PBSS4160T,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C426841

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1A

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述采用小型SOT23塑料封装的NPN型低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5160T。

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SMT补贴嘉立创库存172K+

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5+￥0.6072
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150+￥0.4108
500+￥0.358083
3000+￥0.319176
6000+￥0.299772

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现货: 172K+

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近期成交100单+

爆款

PBSS4140T,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C82254

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1A

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 450mW

描述采用小型SOT23塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5140T。

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SMT补贴嘉立创库存424

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10+￥0.3367
100+￥0.2762
300+￥0.2451
3000+￥0.2166
6000+￥0.2076
9000+￥0.2016

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现货: 420

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近期成交100单+

PBSS4120T,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C455069

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1A

集射极击穿电压(Vceo): 20V

耗散功率(Pd): 480mW

描述NPN BISS晶体管采用SOT23塑料封装，提供超低的VcEsat和RcEsat参数。PNP互补型号为PBSS5120T。

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SMT补贴嘉立创库存2313

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9.9折

5+￥2.0743
50+￥1.6316
150+￥1.4419
500+￥1.193148
3000+￥1.088802
6000+￥1.026135

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现货: 2310

3000个/圆盘

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近期成交4单

PBSS4140U,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-323

类目: 三极管(BJT)

编号: C551895

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1A

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 350mW

描述NPN低VCEsat晶体管，采用SOT323塑料封装。PNP互补型号为PBSS5140U。

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SMT补贴嘉立创库存2388

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5+￥0.5382
50+￥0.4276
150+￥0.3723
500+￥0.3309
3000+￥0.2977
6000+￥0.2811

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现货: 2360

3000个/圆盘

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近期成交9单

SS413F

品牌: Honeywell(霍尼韦尔)

封装: SIP-3

类目: 霍尔开关

编号: C2942276

类型: 双极型

工作电压: 3.8V~30V

输出电流: 20mA

工作电流: 6.5mA

描述传感器是小型、多功能数字霍尔效应设备，由永磁体或电磁铁的磁场驱动，旨在响应交替的北极和南极或仅南极。提供双极、锁存和单极磁性。带隙调节可在3.8 Vdc至30 Vdc的电源电压范围内稳定运行。这些传感器能够实现20 mA的连续灌电流输出，最大循环电流可达50 mA。其3.8 V的工作能力使其适用于许多潜在的低电压应用。

RoHS

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5+￥2.1659
50+￥1.8131
150+￥1.6619
1000+￥1.3455
2000+￥1.2615

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现货: 2675

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近期成交29单

PBSS4160XF

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C551905

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1A

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 950mW

描述NPN低VCEsat小信号(BISS)晶体管，采用中功率SOT89（SC-62）扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑封封装。

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SMT补贴嘉立创库存2100

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5+￥1.1211
50+￥0.8858
150+￥0.785
500+￥0.6592
2500+￥0.6032
4000+￥0.5695

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现货: 2100

4000个/圆盘

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近期成交8单

PBSS4160DS(TP)

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23-6

类目: 三极管(BJT)

编号: C53100536

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1A

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

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SMT补贴嘉立创库存3020

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7.6折

5+￥0.377264
50+￥0.297008
150+￥0.25688
500+￥0.226784
3000+￥0.202692
6000+￥0.190608

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现货: 3020

3000个/圆盘

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近期成交6单

NPN低饱和电压小信号晶体管，采用SOT89扁平引脚表面贴装塑料封装，低集电极-发射极饱和电压，高集电极电流能力，高能效

PBSS4160XX

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-89-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C551906

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1A

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 1.35W

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SMT补贴嘉立创库存1034

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对比

5+￥1.7903
50+￥1.4172
150+￥1.2572
1000+￥1.0577

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现货: 1030

1000个/圆盘

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近期成交3单

1SS416,L3M(B

品牌: TOSHIBA(东芝)

封装: SOD-923

类目: 肖特基二极管

编号: C2943683

二极管配置: 1个独立式

正向压降(Vf): 500mV@100mA

直流反向耐压(Vr): 30V

整流电流: 100mA

描述应用：高速开关

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SMT补贴嘉立创库存10K+

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20+￥0.2089
200+￥0.1657
600+￥0.1417
2000+￥0.1273
10000+￥0.1148

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现货: 10K

10000个/圆盘

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近期成交14单

PBSS4140T-GK

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C51912413

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 200mW

描述三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域

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SMT补贴嘉立创库存1409

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9.5折

20+￥0.17841
200+￥0.139935
600+￥0.11856
3000+￥0.105735
9000+￥0.09462
30000+￥0.088635

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现货: 1360

3000个/圆盘

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近期成交17单

低集电极 - 发射极饱和电压NPN表面贴装晶体管，外延平面芯片结构，有互补PNP类型，适合自动化组装

DSS4160V-7

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-563

类目: 三极管(BJT)

编号: C460207

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1A

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 600mW

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SMT补贴嘉立创库存1930

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5+￥0.7957
50+￥0.6611
150+￥0.5937
500+￥0.5432

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现货: 1930

3000个/圆盘

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近期成交5单

DSS4160TQ-7-HXY

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C47506931

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1A

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述这款NPN型三极管（BJT）具有1A的集电极电流IC和60V的集电极-发射极电压VCEO，适用于需要中等功率处理能力的应用。其直流电流增益HFE范围为100至300，能够满足不同设计对放大效率的需求。此外，该三极管的过渡频率FT为150MHz，确保了在高频工作环境下仍能保持稳定性能，适合于无线通信设备、家用电器及各类消费电子产品中的信号放大与开关应用。通过其出色的参数配置，此三极管支持高效稳定的电路运作，是实现复杂电子设计的重要组件。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2686

私有库下单最高享92折