收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- ST(意法半导体)
- Siliup(矽普)
- ChipNobo(无边界)
多选 - 封装
- TO-263
- TO-220
多选 - 更多
- 包装
- 标签
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.2mΩ@10V
描述N沟道,100V,110A,0.0042Ω@10V
- 收藏
- 对比
- ￥12.77
- ￥10.88
- ￥9.7
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 60
50个/管
个
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.9mΩ@10V
描述这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥5.96
- ￥5.24
- ￥4.57
- ￥4.06
- ￥3.86
- ￥3.75
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 49K+
1000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交88单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.2mΩ@10V
描述特性：使用先进的SGT技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷乘积（FOM）。 符合RoHS标准。 无卤素。 使用先进的屏蔽栅沟槽工艺。应用：电池管理。 电机控制和驱动
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥4.028
- ￥3.211
- ￥2.8025
- ￥2.394
- ￥2.261
- ￥2.128
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 218
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交5单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 170A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.2mΩ@10V
描述大电流SGT MOSFET产品
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥3.306
- ￥2.679
- ￥2.375
- ￥2.0615
- ￥1.9475
- ￥1.8525
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1514
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交15单
免费备货
快速找料
给个料号 即用即提
- *型号
热门找料