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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
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- VBsemi(微碧半导体)
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多选 - 封装
- TO-252
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- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 23A
- 导通电阻(RDS(on))
- 65mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥2.66171
订货10-14个工作日
- 库存
- 15K
- 增量
- 2500
- 最小包装
- 2500个
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 40A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V；35mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
- ￥5.1
- ￥4.15
- ￥3.67
- ￥3.2
- ￥2.91
- ￥2.77
现货最快4小时发货
- 现货
- 40
2500个/圆盘
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 87mΩ@10V
描述这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的额定电流，能够承受高达100V的漏源极间电压(VDSS)，且其导通电阻(RDS(on))仅为80毫欧，在20V的栅源极电压(VGS)下工作稳定。这些特性使得它非常适合应用于需要高效能开关操作和低热耗散的电路中，如电源管理、信号处理等电子系统。其紧凑的设计和优异的性能，为复杂电子设备提供了可靠的解决方案。
- 收藏
- 对比
- ￥3.72
- ￥2.99
- ￥2.63
现货最快4小时发货
- 现货
- 3
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 36A
- 导通电阻(RDS(on))
- 26mΩ@4.5V
描述高密度电池设计，可实现极低的RDS。
- 收藏
- 对比
- ￥0.767
- ￥0.7475
- ￥0.728
订货5-7个工作日
- 库存
- 300K
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 15A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@10V
描述采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。可用于多种应用场景。
- 收藏
- 对比
- ￥0.5728
- ￥0.4528
- ￥0.3928
- ￥0.3478
- ￥0.3118
- ￥0.2938
现货最快4小时发货
- 现货
- 2420
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 63mΩ@4.5V
描述类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：35A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：36mΩ@10V 39mΩ@4.5V @@封装：TO-252
- 收藏
- 对比
- ￥1.056
- ￥0.8292
- ￥0.732
现货最快4小时发货
- 现货
- 85
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交7单
