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1个N沟道 耐压:900V 电流:3A
STD3NK90ZT4
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-252(DPAK)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C35685
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
900V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
4.8Ω@10V

描述N沟道,900V,3A,4.8Ω@10V

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现货
3304

2500/圆盘

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近期成交18单

1个N沟道 耐压:900V 电流:4A
STD3NK90ZT4
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5292076
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
900V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
3.5Ω@10V

描述特性:快速开关。 低栅极电荷和导通电阻。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用:适配器和充电器的电源开关电路

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SMT补贴嘉立创库存51
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51

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替代参考
1个N沟道 耐压:900V 电流:3A
CMD3N90A
品牌
Cmos(广东场效应半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18198748
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
900V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
4.9Ω@10V

描述3N90A采用先进的平面条形DMOS技术和设计,以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。

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