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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.5kV
- 连续漏极电流(Id)
- 2.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9Ω@10V
描述N沟道,1500V,2.5A,9Ω@10V
- 收藏
- 对比
- ￥8.98
- ￥7.92
- ￥6.5
- ￥5.76
- ￥5.45
- ￥5.3
现货最快4小时发货
- 现货
- 9539
30个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.5kV
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V
描述特性：3A，1500V，RDS(on)典型值 = 5Ω（VGS = 10V，Id = 1.5A时）。 低栅极电荷（典型值37nC）。 低反向传输电容（典型值2.8pF）。 快速开关。 100%雪崩测试
- 收藏
- 对比
- ￥7.51
- ￥6.43
- ￥4.3
- ￥3.63
- ￥3.33
- ￥3.2
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- 现货
- 272
30个/管
个
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 类型
- N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.5kV
- 连续漏极电流(Id)
- 3.7A
描述本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力，适用于高电压工作场景。其最大漏极电流3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，具备良好的电流承载性能和较低的导通损耗。该器件常用于电源转换、开关控制、直流变换及高压调节等电路设计中，满足对效率与稳定性有要求的电力电子应用需求。
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- 对比
- ￥3.36
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- 现货
- 1
30个/管
个
总额￥0
近期成交10单
