- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- HUASHUO(华朔)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- MSKSEMI(美森科)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ST(意法半导体)
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描述此款STL6P3LLH6-MS场效应管采用1个P沟道设计,采用 DFN3X3-8L 小型封装，精准匹配高集成度与节能设计需求；30V 电压额定值（VDSS）搭配 25A 连续漏极电流（ID），保障强大且稳定的电流处理能力，而 16mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势，能显著降低系统损耗、提升整体能效。器件广泛适配电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建高效绿色电子产品的理想选择。
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5000个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 40A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@10V；18mΩ@4.5V
描述应用：反向电池保护。负载开关。电源管理。PWM应用
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- ￥1.2683
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5000个/圆盘
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 25A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@10V
描述STL6P3LLH6 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型DFN3X3-8L封装，专为高集成度和节能设计而生。该器件具备30V的电压额定值VDSS，可支持高达25A的连续漏极电流ID，确保强大稳定的电流处理能力。其独特优势在于16mΩ的超低导通电阻RD(on)，有助于显著降低系统损耗，提升整体能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，STL6P3LLH6 MOS管是您构建高效绿色电子产品的理想选择。
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5000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
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- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V
描述P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装
RoHSSMT扩展库
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3000个/圆盘
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- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@4.5V
描述为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。
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近期成交31单
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- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 32A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@4.5V
描述HSBB3103是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB3103符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过了雪崩耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
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