- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- HUASHUO(华朔)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- MSKSEMI(美森科)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ST(意法半导体)
多选 - 封装
- DFN-8(3x3)
- DFN-8(3.3x3.3)
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 40A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@10V；18mΩ@4.5V
描述应用：反向电池保护。负载开关。电源管理。PWM应用
- 收藏
- 对比
- ￥1.2769
- ￥0.9997
- ￥0.8809
- ￥0.7327
- 现货
- 1555
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交14单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 导通电阻(RDS(on))
- 16mΩ@-10V
- 耗散功率(Pd)
- 29W
描述此款STL6P3LLH6-MS场效应管采用1个P沟道设计,采用 DFN3X3-8L 小型封装，精准匹配高集成度与节能设计需求；30V 电压额定值（VDSS）搭配 25A 连续漏极电流（ID），保障强大且稳定的电流处理能力，而 16mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势，能显著降低系统损耗、提升整体能效。器件广泛适配电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建高效绿色电子产品的理想选择。
- 收藏
- 对比
- ￥4.58
- ￥3.72
- ￥3.29
- ￥2.86
- ￥2.6
- ￥2.47
- 现货
- 797
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 25A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@10V
描述STL6P3LLH6 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型DFN3X3-8L封装，专为高集成度和节能设计而生。该器件具备30V的电压额定值VDSS，可支持高达25A的连续漏极电流ID，确保强大稳定的电流处理能力。其独特优势在于16mΩ的超低导通电阻RD(on)，有助于显著降低系统损耗，提升整体能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，STL6P3LLH6 MOS管是您构建高效绿色电子产品的理想选择。
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- 对比
- ￥5.86
- ￥4.72
- ￥4.15
- ￥3.58
- ￥3.24
- ￥3.07
- 现货
- 171
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交14单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V
描述P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装
RoHSSMT扩展库
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- 对比
- ￥6.04
- ￥4.54
- ￥3.6
- ￥2.63
- ￥2.19
- ￥2
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@4.5V
描述为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。
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- 对比
- ￥1.44262
- ￥1.14274
- ￥1.01422
- ￥0.853825
- ￥0.782425
- ￥0.739585
- 现货
- 2740
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交28单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 32A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@4.5V
描述HSBB3103是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB3103符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过了雪崩耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
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- 对比
- ￥0.828
- ￥0.6465
- ￥0.5558
- ￥0.4878
- ￥0.4263
- ￥0.3991
- 现货
- 3925
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交17单
