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自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@10V
描述N沟道100 V、0.007 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 收藏
- 对比
- ￥2.29
- ￥1.78
- ￥1.56
- ￥1.29
- ￥1.17
- ￥1.09
现货最快4小时发货
- 现货
- 193K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交47单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.3mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 97W
描述此款STL90N10F7-MS是一款N沟道MOSFET拥有75A的连续漏极电流（ID）处理能力，适用于高电流需求的应用场景。其最大漏源电压（VDSS）为100V，表明它可以在较高电压下稳定工作。导通电阻（RDSON）低至7.3毫欧，有助于在大电流通过时保持较低的功耗。栅源电压（VGS）的最大值为20V，确保了在多种控制信号下均能正常开启或关闭。适用于高性能电源转换器、电机驱动以及其他需要高效能量传输的电子设备中。
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥3.591
- ￥2.9165
- ￥2.5745
- ￥2.242
- ￥2.0425
- ￥1.938
现货最快4小时发货
- 现货
- 487
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.5mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 57W
- 收藏
- 对比
7.6折
- ￥2.3408
- ￥1.8392
- ￥1.6188
- ￥1.3528
- ￥1.2312
- ￥1.1552
现货最快4小时发货
- 现货
- 200
5000个/圆盘
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 75A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.3mΩ@10V
描述这款N沟道MOSFET拥有75A的连续漏极电流（ID）处理能力，适用于高电流需求的应用场景。其最大漏源电压（VDSS）为100V，表明它可以在较高电压下稳定工作。导通电阻（RDSON）低至7.3毫欧，有助于在大电流通过时保持较低的功耗。栅源电压（VGS）的最大值为20V，确保了在多种控制信号下均能正常开启或关闭。适用于高性能电源转换器、电机驱动以及其他需要高效能量传输的电子设备中。
- 收藏
- 对比
8.8折
- ￥2.9744
- ￥2.4024
- ￥2.112
- ￥1.8216
- ￥1.6544
- ￥1.5664
现货最快4小时发货
- 现货
- 130
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.2mΩ@10V；8mΩ@4.5V
描述大电流SGT MOSFET产品
- 收藏
- 对比
- ￥1.8762
- ￥1.4501
- ￥1.2675
- ￥1.0396
- ￥1.0078
现货最快4小时发货
- 现货
- 3085
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交25单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 78A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.6mΩ@10V
描述特性：先进的沟槽MOS技术。 100% EAS保证。 快速开关速度。 有绿色环保器件可供选择。应用：高频开关和同步整流。 DC/DC转换器
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥3.77
- ￥3.04
- ￥2.67
- ￥2.31
- ￥2.09
- ￥1.98
现货最快4小时发货
- 现货
- 3087
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
