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- 场效应管(MOSFET)
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自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 15A
- 导通电阻(RDS(on))
- 160mΩ@10V
描述N沟道,200V,15A,150mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥8.98249
- ￥7.370248
- ￥6.019036
- ￥5.159174
订货1-3个工作日
- 库存
- 3557
- 增量
- 1
- 最小包装
- 50个
个
总额￥0
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥5.814
- ￥4.7215
- ￥4.18
- ￥3.6385
- ￥3.3155
- ￥3.154
现货最快4小时发货
- 现货
- 10
50个/管
个
总额￥0
替代参考
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 160mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 145W
描述VD MOSFET产品，N沟道，耐压：200V，电流：18A，Rdson：160mR
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥1.784195
- ￥1.416735
- ￥1.24925
- ￥1.040345
- ￥0.94734
- ￥0.89148
现货最快4小时发货
- 现货
- 110
50个/管
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 170mΩ@10V
描述HSP18N20是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP18N20符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具备抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥3.51
- ￥2.8
- ￥2.29
- ￥1.91
现货最快4小时发货
- 现货
- 175
50个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
