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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
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综合排序
价格
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价格/库存筛选
自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V
描述N沟道,60V,50A,15mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥3.63
- ￥2.97
- ￥2.64
- ￥2.31
- ￥2.11
- ￥2.01
现货最快4小时发货
- 现货
- 1480
50个/管
个
总额￥0
近期成交23单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 55A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V
描述N沟道,60V,55A,18mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥7.11
- ￥6.01
- ￥5.46
- ￥4.91
- ￥4.58
现货最快4小时发货
- 现货
- 789
50个/管
个
总额￥0
近期成交26单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V
描述这些功率MOSFET采用独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
- 收藏
- 对比
8.3折起
- ￥4.32
- ￥3.5433
- ￥2.9465
- ￥2.7307
- ￥2.6062
- ￥2.5398
现货最快4小时发货
- 现货
- 495
50个/管
个
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥4.978
- ￥4.066
- ￥3.2965
- ￥2.85
- ￥2.5745
- ￥2.4415
现货最快4小时发货
- 现货
- 52
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 13mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥4.335
- ￥3.5275
- ￥3.1195
- ￥2.72
- ￥2.4735
- ￥2.3545
现货最快4小时发货
- 现货
- 30
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 358W
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
- ￥1.800444
- ￥1.75467
- ￥1.708896
订货7-9个工作日
- 库存
- 300K
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@10V
描述VD MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：50A，RDSON：17mR
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥1.765575
- ￥1.380635
- ￥1.21562
- ￥1.009755
- ￥0.918175
- ￥0.86317
现货最快4小时发货
- 现货
- 290
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
