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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述N沟道,500V,4.4A,1.5Ω@10V
- 收藏
- 对比
- ￥10.47
- ￥8.94
- ￥7.99
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5
50个/管
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述这些高压器件是采用意法半导体的SuperMESH™技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET，是成熟的PowerMESH™技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
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- 对比
- ￥20.21
- ￥17.43
- ￥15.78
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