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- 场效应管(MOSFET)
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.4Ω@10V
描述N沟道,800V,4.3A,1.9Ω@10V
- 收藏
- 对比
- ￥4.73
- ￥4.63
- ￥4.55
现货最快4小时发货
- 现货
- 1
50个/管
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.4Ω@10V
描述SuperMESH系列通过对基于条形的PowerMESH布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别确保了在最苛刻的应用中具有良好的dv/dt能力。该系列补充了高压MOSFET的全系列产品，包括创新的MDmesh产品。
- 收藏
- 对比
- ￥6.11
- ￥5.98
- ￥5.89
现货最快4小时发货
- 现货
- 29
50个/管
个
总额￥0
近期成交5单
