- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- JSMSEMI(杰盛微)
- ST(意法半导体)
- Siliup(矽普)
多选 - 封装
- TO-220
- TO-220F
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 16mΩ@10V
描述N沟道,60V,60A,16mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥7.27
- ￥5.97
- ￥5.26
- ￥4.45
- 现货
- 160
50个/管
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
- ￥2.839
- ￥2.2865
- ￥2.0145
- ￥1.734
- ￥1.5725
- ￥1.4875
- 现货
- 337
50个/管
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 14mΩ@10V
描述N沟道,60V,60A,14mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥10.34
- ￥8.73
- ￥7.28
- 现货
- 53
50个/管
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 10mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源模块、汽车电子系统、工业自动化设备等领域。TO220F；N—Channel沟道,60V；70A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
- ￥4.454
- ￥3.638
- ￥2.9495
- ￥2.55
- ￥2.3035
- ￥2.1845
- 现货
- 50
50个/管
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
- ￥4.845
- ￥3.9425
- ￥3.4865
- ￥3.04
- ￥2.7645
- ￥2.6315
- 现货
- 102
50个/管
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V；13mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
- ￥5.24
- ￥4.28
- ￥3.47
- ￥3
- ￥2.71
- ￥2.57
- 现货
- 25
50个/管
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 16mΩ@10V
描述此功率MOSFET系列采用独特的STripFET工艺，旨在最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合作为电信和计算机应用的先进高效隔离式DC-DC转换器中的初级开关。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥4.44222
- ￥4.36563
- ￥4.28904
- 库存
- 516
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1000个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥4.67
- ￥1.87
- ￥1.81
- ￥1.77
- 现货
- 0
50个/管
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥4.67
- ￥1.87
- ￥1.81
- ￥1.77
- 现货
- 0
50个/管
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 15mΩ@10V
描述中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：60V,电流：50A,RDSON:15mR
- 收藏
- 对比
- ￥1.0466
- ￥0.838
- ￥0.7317
- 现货
- 265
50个/管
总额￥0
近期成交4单
