HSTP75NF75

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

TO-220C

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41381870

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

80V

连续漏极电流(Id)

96A

导通电阻(RDS(on))

7.2mΩ@10V

描述这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有高效能的特点，最大漏源电流（ID）为96安培，适用于大电流的应用场景。在10伏特下，其导通电阻（RDSON）低至6.2毫欧姆，显著降低了功率损耗。器件的最大漏源电压（VDSS）为80伏特，可以提供可靠的高电压操作保障。栅源电压（VGS）的最大值为20伏特，确保了广泛的驱动兼容性。该MOSFET适用于高功率密度的设计，如服务器电源供应、数据中心基础设施以及高性能计算设备中的电源管理和信号调节。

SMT扩展库

STP75NF75-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-220AB

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7463538

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

80V

连续漏极电流(Id)

100A

导通电阻(RDS(on))

7mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

SMT扩展库

STP75NF75FP

品牌

ST(意法半导体)

封装

TO-220FPAB-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C361040

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

75V

连续漏极电流(Id)

80A

导通电阻(RDS(on))

11mΩ@10V