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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 75V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V
描述N沟道,75V,80A,9.5mΩ@10V
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- 对比
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- ￥4.35
- ￥3.8
- ￥3.24
- ￥2.91
- ￥2.74
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50个/管
个
总额￥0
近期成交69单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
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- 现货
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50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 96A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.2mΩ@10V
描述这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有高效能的特点，最大漏源电流（ID）为96安培，适用于大电流的应用场景。在10伏特下，其导通电阻（RDSON）低至6.2毫欧姆，显著降低了功率损耗。器件的最大漏源电压（VDSS）为80伏特，可以提供可靠的高电压操作保障。栅源电压（VGS）的最大值为20伏特，确保了广泛的驱动兼容性。该MOSFET适用于高功率密度的设计，如服务器电源供应、数据中心基础设施以及高性能计算设备中的电源管理和信号调节。
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- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V
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