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- 场效应管(MOSFET)
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 33A
- 导通电阻(RDS(on))
- 79mΩ@10V
描述N沟道650 V、0.070 Ohm典型值、33 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装
- 收藏
- 对比
- ￥60.05
- ￥51.35
- ￥46.05
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 40
30个/管
个
总额￥0
近期成交1单
描述该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，同时减少散热设计负担。
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥33.6965
- ￥29.07
- ￥26.2485
- ￥23.8925
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 10
30个/管
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 45A
- 导通电阻(RDS(on))
- 75mΩ@10V
描述超结 MOSFET,650V,45A,75mΩ@10V
- 收藏
- 对比
9折
- ￥12.24
- ￥10.422
- ￥9.288
- ￥8.118
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 143
30个/管
个
总额￥0
近期成交3单
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