TIP122_TIP122采购信息-立创电子元器件商城

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- 达林顿管
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TIP122

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220

类目: 达林顿管

编号: C16283

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 65W

描述互补功率达林顿晶体管

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5+￥1.9281
50+￥1.4799
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2500+￥1.0122
5000+￥0.98

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现货: 55K+

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TIP122

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-126

类目: 达林顿管

编号: C165098

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 1.25W

描述特性：中功率互补硅晶体管

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5+￥1.5493
50+￥1.2368
200+￥1.1029
400+￥0.9358
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现货: 3410

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TIP122

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-220

类目: 达林顿管

编号: C84073

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 2W

描述NPN型达林顿管

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5+￥2.0395
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现货: 2045

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TIP122D

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: TO-252

类目: 达林顿管

编号: C22435016

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 40W

描述TO-252 塑封封装 NPN 半导体三极管用于中功率线性开关放大 100V 5A

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5+￥1.9946
50+￥1.5662
150+￥1.3826
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现货: 2355

2500个/圆盘

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TIP122

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-263-2L

类目: 达林顿管

编号: C5350028

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 2W

描述特性：中功率互补硅晶体管

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5+￥2.45
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现货: 1185

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TIP122

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: TO-220S

类目: 达林顿管

编号: C41381874

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 65W

集电极截止电流(Icbo): 200uA

描述这款NPN型三极管（BJT）的最大集电极电流IC为5A，适用于中等电流需求的应用。其VCEO（集电极-发射极击穿电压）为100V，能够在较高电压条件下稳定工作。在3A集电极电流和3V电压条件下，该三极管的HFE（电流增益）范围为1K至12K，提供了稳定的电流放大性能。此元件适用于多种电子设备中的信号放大与开关应用，如消费电子产品的电路设计。

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5+￥1.453
50+￥1.1506
150+￥1.021
500+￥0.8593
2500+￥0.7873
5000+￥0.744

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现货: 790

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TIP122

品牌: YFW(佑风微)

封装: TO-220AB

类目: 达林顿管

编号: C19626396

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 65W

描述器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和电压。

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5+￥2.1307
50+￥1.6861
150+￥1.4835
500+￥1.2307
2000+￥1.1182
5000+￥1.0506

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现货: 685

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TIP122

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: TO-220

类目: 达林顿管

编号: C52037861

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 65W

描述适用于通用放大器和低速开关应用。

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5+￥1.3335
50+￥1.0563
150+￥0.9375
500+￥0.7893

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现货: 660

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TIP122-JSM

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: TO-220

类目: 达林顿管

编号: C7498976

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 2W

描述集电极-发射极饱和电压低、开关速度快。

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8.7折

5+￥1.281771
50+￥1.041999
150+￥0.919851
500+￥0.767427
2000+￥0.699567
5000+￥0.658851

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现货: 645

50个/管

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TIP122G

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-220AB

类目: 达林顿管

编号: C897224

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 2W

描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN)；TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。

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SMT补贴嘉立创库存197

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1+￥6.44
10+￥5.32
30+￥4.76
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TIP122

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: TO-220

类目: 达林顿管

编号: C358524

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 2W

描述塑封封装NPN 半导体三极管。

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SMT补贴嘉立创库存64

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5+￥2.45
50+￥1.93
150+￥1.7

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现货: 60

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TIP122AT

品牌: GMIC(绿微)

封装: TO-220-3

类目: 达林顿管

编号: C53055746

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 2A

耗散功率(Pd): 2W

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500+￥0.6429
2000+￥0.5892
5000+￥0.5569

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现货: 515

50个/管

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TIP122D

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: TO-252-2L

类目: 达林顿管

编号: C50269811

集射极击穿电压(Vceo): 150V

集电极电流(Ic): 5A

耗散功率(Pd): 2W

集电极截止电流(Icbo): 1uA

描述该NPN型三极管具备5A的集电极电流（IC）和100V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中高功率的放大与开关应用。其直流电流放大系数（HFE）高达2000至8000，表现出优异的增益特性，有利于提升信号控制的灵敏度与效率。器件具备良好的饱和特性和开关响应能力，适合用于电源调节、电机驱动、功率转换及高增益放大电路中，可广泛应用于各类消费类电子产品与通信设备中的核心控制与功率处理模块。

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SMT补贴嘉立创库存29

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