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PNP 100V 5A
TIP127
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C14655
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述互补功率达林顿晶体管

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近期成交58单

PNP达林顿晶体管,采用TO-220CB塑料封装,具备达林顿放大器功能
TIP127
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
TO-220CB
类目
达林顿管
编号
C52117774
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

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  • 2.07
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近期成交12单

PNP 100V 5A
TIP127
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C358525
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述0 塑封封装PNP 半导体三极管。

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近期成交2单

PNP 100V 5A
TIP127
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C64145
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述PNP,Vceo=100V,Ic=5A

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1155

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近期成交16单

PNP 100V 5A
TIP127
品牌
minos(迈诺斯)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C6719390
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述该器件为达林顿三极管,内含阻尼二极管,用于高增益电路。

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  • 对比
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  • 1.0319
  • 0.9109
  • 0.76
  • 0.6928
  • 0.6524
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575

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近期成交3单

负电源调整管、音频功率放大器用晶体管
TIP127AT
品牌
GMIC(绿微)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C53055875
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
2A
耗散功率(Pd)
2W

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  • 1.09117
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  • 0.754205
  • 0.62814
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  • 0.53827
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现货
910

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近期成交4单

PNP 100V 5A
TIP127
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-126-3
类目
达林顿管
编号
C72562
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
1.25W

描述PNP

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  • 1.2922
  • 1.1575
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近期成交4单

用于通用放大器和低速开关应用的互补硅达林顿功率晶体管,内置基极 - 发射极分流电阻,有无铅封装可选
TIP127G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C479715
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN);TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。

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  • 4.87
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近期成交7单

PNP 100V 5A
TIP127-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-220-3
类目
达林顿管
编号
C7498975
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述专为通用放大器和低速开关应用而设计

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8.8
  • 1.342264
  • 1.053976
  • 0.930424
  • 0.776248
  • 0.707608
  • 0.666424
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现货
370

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近期成交15单

PNP 电流:5A 耐压:100V
TIP127
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C49437731
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
50W

描述适用于通用放大器和低速开关应用。

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  • 1.27718
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  • 0.954275
  • 0.874475
  • 0.826595
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现货
0

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近期成交12单

PNP硅达林顿晶体管,高直流电流增益,低集电极 - 发射极饱和电压
TIP127
品牌
DDF(鼎德丰)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C50229429

描述达林顿类型:PNP。 集电极电流IC:-5A 集电极-基极击穿电压VCBO:-100V 集电极-发射极击穿电压VCEO:-100V

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  • 1.183212
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  • 0.825516
  • 0.691564
  • 0.631948
  • 0.59616
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现货
95

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总额0

近期成交2单

PNP 100V 5A
TIP127
品牌
Cmos(广东场效应半导体)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C6939787
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
65W

描述器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和电压。

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SMT补贴嘉立创库存43
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9.5
  • 2.299
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  • 1.596
  • 1.33
  • 1.216
  • 1.14
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现货
43

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近期成交5单

PNP 电流:5A 电压:100V
TIP127
品牌
KTP(科泰普)
封装
TO-220
类目
三极管(BJT)
编号
C20613884
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
5A
集射极击穿电压(Vceo)
100V
耗散功率(Pd)
2W

描述特性:高直流电流增益。 电气性能与流行的TIP127相似。 集电极-发射极间内置阻尼二极管

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9.5
  • 1.3376
  • 1.05032
  • 0.9272
  • 0.773585
  • 0.705185
  • 0.66405
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现货
460

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近期成交1单

通用三极管
TIP127
品牌
luJing(鲁晶)
封装
TO-220AB
类目
达林顿管
编号
C49318132
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
6A
耗散功率(Pd)
2W

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SMT补贴嘉立创库存180
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8.8
  • 0.618112
  • 0.60368
  • 0.594
  • 0.584408
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现货
180

50/

总额0

近期成交2单

PNP 100V 5A
TIP127
品牌
Slkor(萨科微)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C2999992
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
65W

描述采用TO-220封装。达林顿结构。高直流电流增益。低集电极饱和电压

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  • 1.59
  • 1.1684
  • 1.028
  • 0.8529
  • 0.7749
  • 0.728
需订货
现货
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50/

总额0

PNP 100V 5A
TIP127L-TN3-R
品牌
UTC(友顺)
封装
TO-252-2(DPAK)
类目
达林顿管
编号
C171462
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
38W

描述低频放大用PNP,Vceo=100V,Ic=5A

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  • 1.4045
  • 1.127
  • 1.0081
  • 0.8597
  • 0.7936
  • 0.7539
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现货
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2500/圆盘

总额0

近期成交1单

TIP127F
TIP127F
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-220F
类目
达林顿管
编号
C2910325

RoHSSMT扩展库

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  • 2.45
  • 1.94
  • 1.67
  • 1.39
  • 1.27
  • 1.2
需订货
现货
0

50/

总额0

PNP 100V 5A
TIP127L-TA3-T
品牌
UTC(友顺)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C171463
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
65W

描述低频放大用PNP,Vceo=100V,Ic=5A

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  • 1.8282
  • 1.4452
  • 1.281
  • 1.0762
  • 0.985
  • 0.9303
需订货
现货
0

50/

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近期成交1单

TIP127L-BP
TIP127L-BP
品牌
MCC(美微科)
封装
TO-220AB
类目
三极管(BJT)
编号
C3201000
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
5A
集射极击穿电压(Vceo)
100V
耗散功率(Pd)
2W

RoHSSMT扩展库

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  • 1.6742
  • 1.4842
  • 1.2472
  • 1.1416
  • 1.0783
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现货
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5000/

总额0

TIP127L-T60-K
TIP127L-T60-K
品牌
UTC(友顺)
封装
TO-126
类目
达林顿管
编号
C171464

描述低频放大用PNP,Vceo=100V,Ic=5A

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  • 0.9278
  • 0.9094
  • 0.8971
  • 0.8848
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现货
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200/

总额0

100V 8A
TIP127A
品牌
TF(拓锋)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C845391
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
8A
耗散功率(Pd)
2W
集电极截止电流(Icbo)
200uA

描述特性:集电极电流能力 ICM = -8A。 集电极发射极电压 VcO = -100V。 中功率互补硅晶体管

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  • 0.9512
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  • 0.7108
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现货
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50/

总额0

PNP 100V 5A
TIP127
品牌
TF(拓锋)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C845392
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述特性:集电极电流能力 Icm = 5A。 集电极发射极电压 VcO = 100V。 中功率互补硅晶体管

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  • 1.2407
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  • 0.7986
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  • 0.5968
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50/

总额0

近期成交1单

TIP127TU
TIP127TU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C99448

描述PNP 达林顿晶体管

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PNP 100V 5A
TIP127
品牌
YW(友旺)
封装
TO-252
类目
达林顿管
编号
C557885
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述65W三极管P管

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近期成交10单

TIP127
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C50269826

描述该达林顿晶体管由两只PNP型三极管复合构成,具备5A的集电极电流(IC)和100V的集电极-发射极耐压(VCEO),适用于高增益与高电流驱动场景。其电流放大倍数(HFE)可达2000至8000,显著提升输入阻抗与电流驱动能力,适合微弱信号的放大与控制。该器件常用于高灵敏度开关电路、功率驱动模块、电源管理单元及精密控制设备中,广泛服务于消费类电子产品、家用电器控制板及通信设备中的信号处理与负载驱动应用。

SMT扩展库

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  • 2.1726
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  • 0.838
  • 0.8236
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现货
0

500/

总额0

NPN 100V 5A
TIP122G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-220AB
类目
达林顿管
编号
C897224
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN);TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存184
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  • 4.05
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总额0

近期成交8单

用于通用放大器和低速开关应用的互补硅达林顿功率晶体管,内置基极 - 发射极分流电阻,有无铅封装可选
TIP121G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C146777
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
80V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN);TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。

RoHS

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库存
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增量
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最小包装
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达林顿结构通用放大器和低速开关应用的互补硅功率晶体管,内置基极 - 发射极分流电阻,有无铅封装
TIP120G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C223613
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
60V
集电极电流(Ic)
5A
耗散功率(Pd)
2W

描述中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管,该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN);TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。

RoHS

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  • 1.7826
订货65-67个工作日
库存
96K+
增量
50
最小包装
50个

总额0