- 类目
- 达林顿管
- 三极管(BJT)
多选 - 品牌
- onsemi(安森美)
- UTC(友顺)
- CJ(江苏长电/长晶)
- TF(拓锋)
- TI(德州仪器)
- Slkor(萨科微)
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- YW(友旺)
- GOODWORK(固得沃克)
- JSMSEMI(杰盛微)
- minos(迈诺斯)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Cmos(广东场效应半导体)
- R+O(宏嘉诚)
- KTP(科泰普)
- GMIC(绿微)
- luJing(鲁晶)
- DDF(鼎德丰)
- ST(意法半导体)
- MCC(美微科)
多选 - 封装
- TO-220
- TO-126
- TO-252
- TO-220CB
- TO-220F
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述互补功率达林顿晶体管
- 收藏
- 对比
- ¥2.33
- ¥1.81
- ¥1.59
- ¥1.31
- ¥1.18
- 广东仓
- 570
50个/管
总额¥0
近期成交74单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
- 收藏
- 对比
- ¥2.62
- ¥2.07
- ¥1.84
- ¥1.55
- ¥1.42
- ¥1.34
- 广东仓
- 5233
50个/管
总额¥0
近期成交6单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述PNP,Vceo=100V,Ic=5A
- 收藏
- 对比
- ¥1.994
- ¥1.5907
- ¥1.4178
- ¥1.2021
- ¥1.1061
- 广东仓
- 4415
50个/管
总额¥0
近期成交31单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述专为通用放大器和低速开关应用而设计
- 收藏
- 对比
- ¥1.342264
- ¥1.053976
- ¥0.930424
- ¥0.776248
- ¥0.707608
- ¥0.666424
- 广东仓
- 370
50个/管
总额¥0
近期成交6单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述该器件为达林顿三极管,内含阻尼二极管,用于高增益电路。
- 收藏
- 对比
- ¥1.3505
- ¥1.0319
- ¥0.9109
- ¥0.76
- ¥0.6928
- ¥0.6524
- 广东仓
- 580
50个/管
总额¥0
近期成交3单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述0 塑封封装PNP 半导体三极管。
- 收藏
- 对比
- ¥3.0611
- ¥2.3728
- ¥2.0779
- ¥1.7098
- ¥1.546
- ¥1.4476
- 广东仓
- 430
50个/管
总额¥0
近期成交11单
- 收藏
- 对比
- ¥1.085375
- ¥0.850725
- ¥0.750215
- ¥0.62472
- ¥0.56886
- ¥0.535325
- 广东仓
- 980
50个/管
总额¥0
近期成交2单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000@500mA,3V
- 耗散功率(Pd)
- 50W
描述适用于通用放大器和低速开关应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.9172
- ¥0.897
- ¥0.8836
- ¥0.8701
- 广东仓
- 0
50个/管
总额¥0
近期成交8单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 5A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述特性:高直流电流增益。 电气性能与流行的TIP127相似。 集电极-发射极间内置阻尼二极管
- 收藏
- 对比
- ¥1.408
- ¥1.1056
- ¥0.976
- 广东仓
- 480
50个/管
总额¥0
近期成交4单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 1.25W
描述PNP
- 收藏
- 对比
- ¥1.5566
- ¥1.2423
- ¥1.1077
- 广东仓
- 95
200个/袋
总额¥0
近期成交6单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 65W
- 集电极电流(Ic)
- 5A
描述器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和电压。
- 收藏
- 对比
- ¥2.42
- ¥1.9
- ¥1.68
- ¥1.4
- ¥1.28
- ¥1.2
- 广东仓
- 43
50个/管
总额¥0
近期成交2单
描述达林顿类型:PNP。 集电极电流IC:-5A 集电极-基极击穿电压VCBO:-100V 集电极-发射极击穿电压VCEO:-100V
- 收藏
- 对比
- ¥1.221795
- ¥0.963205
- ¥0.852435
- ¥0.714115
- ¥0.652555
- ¥0.6156
- 广东仓
- 10
50个/管
总额¥0
近期成交4单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN);TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。
- 收藏
- 对比
- ¥6.02
- ¥4.86
- ¥4.27
- ¥3.69
- 广东仓
- 100
50个/管
总额¥0
近期成交10单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 65W
描述低频放大用PNP,Vceo=100V,Ic=5A
- 收藏
- 对比
- ¥1.9498
- ¥1.5668
- ¥1.4026
- 广东仓
- 20
50个/管
总额¥0
近期成交1单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 65W
描述采用TO-220封装。达林顿结构。高直流电流增益。低集电极饱和电压
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥1.59
- ¥1.2139
- ¥1.0735
- ¥0.8984
- ¥0.8204
- ¥0.7735
- ¥0.7638
- ¥0.7573
- 广东仓
- 0
50个/管
总额¥0
- 收藏
- 对比
- ¥2.45
- ¥1.94
- ¥1.67
- ¥1.39
- ¥1.27
- ¥1.2
- 广东仓
- 0
50个/管
总额¥0
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 38W
描述低频放大用PNP,Vceo=100V,Ic=5A
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥1.4045
- ¥1.127
- ¥1.0081
- ¥0.8597
- ¥0.7936
- ¥0.7539
- 广东仓
- 0
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交1单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥0.7469
- ¥0.7304
- ¥0.7195
- ¥0.7085
- 广东仓
- 0
50个/管
总额¥0
近期成交3单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 5A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 2W
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥2.1174
- ¥1.6742
- ¥1.4842
- ¥1.2472
- ¥1.1416
- ¥1.0783
- 广东仓
- 0
5000个/管
总额¥0
- 收藏
- 对比
- ¥0.9278
- ¥0.9094
- ¥0.8971
- ¥0.8848
- 广东仓
- 0
200个/袋
总额¥0
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述特性:集电极电流能力 Icm = 5A。 集电极发射极电压 VcO = 100V。 中功率互补硅晶体管
- 收藏
- 对比
- ¥1.2407
- ¥0.9104
- ¥0.7986
- ¥0.659
- ¥0.5968
- ¥0.5595
- 广东仓
- 0
50个/管
总额¥0
描述该达林顿晶体管由两只PNP型三极管复合构成,具备5A的集电极电流(IC)和100V的集电极-发射极耐压(VCEO),适用于高增益与高电流驱动场景。其电流放大倍数(HFE)可达2000至8000,显著提升输入阻抗与电流驱动能力,适合微弱信号的放大与控制。该器件常用于高灵敏度开关电路、功率驱动模块、电源管理单元及精密控制设备中,广泛服务于消费类电子产品、家用电器控制板及通信设备中的信号处理与负载驱动应用。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥2.1726
- ¥0.8669
- ¥0.838
- ¥0.8236
- 广东仓
- 0
500个/袋
总额¥0
- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN);TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ¥1.85928
- 库存
- 91K+
- 增量
- 50
- 最小包装
- 50个
总额¥0
- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管,该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN);TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ¥1.7826
- 库存
- 96K+
- 增量
- 50
- 最小包装
- 50个
总额¥0
- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN);TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ¥2.79408
- 库存
- 102K
- 增量
- 50
- 最小包装
- 50个
总额¥0
- 收藏
- 对比




























