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- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 125W
描述器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和电压。
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- ￥5.37
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近期成交42单
- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 80W
描述器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。
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- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
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- 1000
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- 70W
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近期成交17单
- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 80W
描述NPN 集射极击穿电压(Vceo)：100V 集电极电流(Ic)：10A 功率(Pd)：80W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib)：2V@5A,10mA 直流电流增益(hFE1@Ic,Vce)：1000@5A,4V，工作温度：+150℃@(Tj)
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- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 80W
描述设计用于通用放大器和低速开关应用。
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近期成交2单
- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 125W
描述设计用于通用放大器和低频开关的应用。
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- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 耗散功率(Pd)
- 125W
描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低频率开关应用。TIP140、TIP141、TIP142 (NPN)；TIP145、TIP146、TIP147 (PNP) 为互补器件。
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- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 80W
- 集电极电流(Ic)
- 10A
描述特性：单片结构，内置基极-发射极并联电阻。 高直流电流增益：在 VCE = 4V、IC = 5A 时，hFE = 1000（最小值）。 工业用途。 与 TIP147T 互补
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- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 125W
- 集电极电流(Ic)
- 10A
描述设计用于通用放大器和低速开关应用
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- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000@4V,5A
- 耗散功率(Pd)
- 125W
描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低频率开关应用。TIP140、TIP141、TIP142 (NPN)；TIP145、TIP146、TIP147 (PNP) 为互补器件。
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