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互补硅功率达林顿晶体管
TIP147
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-247
类目
达林顿管
编号
C84047
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
10A
耗散功率(Pd)
125W

描述采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。

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近期成交23单

PNP -10A -100V
TIP147
品牌
minos(迈诺斯)
封装
TO-247
类目
达林顿管
编号
C22389980
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
10A
集电极截止电流(Icbo)
1mA

描述PNP 集射极击穿电压(Vceo):-100V 集电极电流(Ic):-10A 功率(Pd):80W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib):-2V@-5A,-10mA 直流电流增益(hFE1@Ic,Vce):1000@-5A,-4V,工作温度:+151℃@(Tj)

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近期成交12单

PNP 100V 8A
TIP147T
品牌
minos(迈诺斯)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C6719393
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
8A
耗散功率(Pd)
70W

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近期成交17单

PNP 电流:10A 电压:100V
TIP147
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-220-3L
类目
达林顿管
编号
C19267698
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
10A
耗散功率(Pd)
2W

描述特性:单片达林顿配置。集成反并联集电极-发射极二极管

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近期成交7单

PNP 100V 10A
TIP147P
品牌
SPTECH(深圳质超)
封装
TO-3PN
类目
达林顿管
编号
C480192
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
10A
耗散功率(Pd)
125W

描述·设计用于通用放大器和低频开关的应用。

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近期成交1单

PNP 100V 10A 停产
TIP147T
品牌
SPTECH(深圳质超)
封装
TO-220C
类目
达林顿管
编号
C480193
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
10A
耗散功率(Pd)
80W

描述·设计用于通用放大器和低频开关的应用。

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近期成交1单

TIP147G
TIP147G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-247S
类目
达林顿管
编号
C223599
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
10A
耗散功率(Pd)
125W

描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低频率开关应用。TIP140、TIP141、TIP142 (NPN);TIP145、TIP146、TIP147 (PNP) 为互补器件。

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库存
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增量
30
最小包装
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互补硅功率达林顿晶体管
TIP147T
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C283425
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
10A
耗散功率(Pd)
90W
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停产 TIP147TTU
TIP147TTU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-220-3L
类目
达林顿管
编号
C900052
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TIP147T
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-220
类目
达林顿管
编号
C900122
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
10A
耗散功率(Pd)
80W

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TIP147T-SPT
TIP147T-SPT
品牌
SPTECH(深圳质超)
封装
TO-220C
类目
达林顿管
编号
C54769564

描述PNP VCEO:-100 IC:-10 PC:80W 应用领域:专为通用放大器及低频开关应用设计-55℃~+150℃

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NPN 100V 10A
TIP142G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-247AC-3
类目
达林顿管
编号
C233722
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
集电极电流(Ic)
10A
耗散功率(Pd)
125W

描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低频率开关应用。TIP140、TIP141、TIP142 (NPN);TIP145、TIP146、TIP147 (PNP) 为互补器件。

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