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- 类目
- 达林顿管
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自营结果数11
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操作
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 集电极电流(Ic)
- 10A
- 耗散功率(Pd)
- 125W
描述采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。
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- 对比
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- ￥5.51
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- ￥4.17
- ￥3.85
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- 现货
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近期成交30单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 集电极电流(Ic)
- 10A
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述特性：单片达林顿配置。集成反并联集电极-发射极二极管
RoHS
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- 对比
- ￥2.2579
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- ￥1.5451
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- 现货
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近期成交7单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 集电极电流(Ic)
- 10A
- 集电极截止电流(Icbo)
- 1mA
描述PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-100V 集电极电流(Ic)：-10A 功率(Pd)：80W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib)：-2V@-5A,-10mA 直流电流增益(hFE1@Ic,Vce)：1000@-5A,-4V，工作温度：+151℃@(Tj)
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- 对比
- ￥5.55
- ￥4.47
- ￥3.93
- ￥3.39
- ￥3.07
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- 现货
- 185
30个/管
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近期成交8单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 集电极电流(Ic)
- 8A
- 耗散功率(Pd)
- 70W
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- 对比
- ￥1.8979
- ￥1.4947
- ￥1.2859
- ￥1.0703
- ￥0.9743
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- 现货
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近期成交21单
描述PNP VCEO：-100 IC:-10 PC:80W 应用领域：专为通用放大器及低频开关应用设计-55℃~+150℃
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- ￥3.382
- ￥3.3345
- ￥3.2775
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- 现货
- 50
50个/管
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- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 集电极电流(Ic)
- 10A
- 耗散功率(Pd)
- 80W
描述·设计用于通用放大器和低频开关的应用。
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- ￥3.7335
- ￥3.287
- ￥2.831
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- ￥2.432
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- 现货
- 3
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近期成交1单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 集电极电流(Ic)
- 10A
- 耗散功率(Pd)
- 125W
描述·设计用于通用放大器和低频开关的应用。
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30个/管
个
总额￥0
近期成交1单
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 集电极电流(Ic)
- 10A
- 耗散功率(Pd)
- 125W
描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低频率开关应用。TIP140、TIP141、TIP142 (NPN)；TIP145、TIP146、TIP147 (PNP) 为互补器件。
RoHSSMT扩展库
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- ￥9.71
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30个/管
个
总额￥0
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- 对比
- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 集电极电流(Ic)
- 10A
- 耗散功率(Pd)
- 125W
描述该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低频率开关应用。TIP140、TIP141、TIP142 (NPN)；TIP145、TIP146、TIP147 (PNP) 为互补器件。
RoHS
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- 1
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- 30个
个
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