TPD4E05U06DQAR

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

USON-10(1x2.5)

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C2827646

极性

单向

反向截止电压(Vrwm)

5.5V

钳位电压

13V

峰值脉冲电流(Ipp)

5A

描述VRWM:5.5V, IPP:5A, CJ:0.8pF

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TPD4E05U06DQAR

品牌

DOWO(东沃)

封装

DFN2510-10L

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C22390021

极性

单向

反向截止电压(Vrwm)

5V

钳位电压

15V

峰值脉冲功率(Ppp)

60W@8/20us

描述特性：单向四线ESD保护。 60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 工作电压：5V。应用：串行ATA

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TPD4E05U06DQAR-N

品牌

BORN(伯恩半导体)

封装

DFN-10(2.5x1.0)

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C920310

极性

单向

反向截止电压(Vrwm)

5V

钳位电压

10V

峰值脉冲电流(Ipp)

3.5A@8/20us

描述特性：60瓦峰值脉冲功率（ip = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.3pF 典型值，I/O 到 I/O）。应用：USB3.0、USB2.0、以太网。 HDMI 2.0、Displayport 1.3、eSATA

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TPD4E05U06DQAR

品牌

Leiditech(雷卯电子)

封装

DFN2510-10

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C2972498

反向截止电压(Vrwm)

5V

钳位电压

9.8V；15V

峰值脉冲电流(Ipp)

5A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp)

75W@8/20us

描述特性：超低电容：典型值0.3pF（I/O到I/O）。 超低泄漏：纳安级别。 低工作电压：5V。应用：HDMI 1.3、1.4和2.0，USB 2.0和3.0以及MDDI端口

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TPD4E05U06DQAR-L

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

DFN2510-10

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C19829470

极性

单向

反向截止电压(Vrwm)

5V

钳位电压

16V

峰值脉冲电流(Ipp)

4A@8/20us

描述这款静电放电(ESD)为电压敏感部件提供保护。绝佳的箱位功能、低泄漏和快速响应时间为接触ESD的设计提供了业内最佳的保护。由于尺寸小，因此适用于智能手机、智能手表或板空间非常宝贵的其它许多便携式/可穿戴应用.

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TPD4E05U06DQAR-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

DFN2510-10L

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C5199181

极性

单向

反向截止电压(Vrwm)

5V

钳位电压

12V

峰值脉冲电流(Ipp)

4.5A

描述0524P，5.0V 4路单向ESD静电防护器件，20kV，CJ：0.6pF；HDMI/USB高速接口通讯防护。

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TPD4E05U06DQAR

品牌

GOODWORK(固得沃克)

封装

USON-10(1x2.5)

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C21713973

极性

单向

反向截止电压(Vrwm)

5V

钳位电压

15V

峰值脉冲电流(Ipp)

4.5A@8/20us

描述ESD静电防护在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能，是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。

RoHSSMT扩展库

TPD4E05U06DQAR

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

DFN2510-10L

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C5337182

极性

单向

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

15V

峰值脉冲电流(Ipp)

5A

描述这款高性能ESD静电防护二极管采用DFN2510-10L封装，内含4个独立单向通道。工作电压额定值VRWM为3.3V，每个通道可承受瞬态脉冲电流IPP高达5A，且结电容低至0.3pF，特别适合高速数据接口的ESD防护需求，提供卓越的信号完整性保护，有效抵御静电冲击，确保电路安全稳定运行。

SMT扩展库

KTPD4E05U06DQAR

品牌

KUU

封装

DFN2510-10

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C47147600

反向截止电压(Vrwm)

5V

钳位电压

15V

击穿电压(VBR)

9V

反向电流(Ir)

1uA

描述是一款超低电容瞬态电压抑制器 (TVS)，旨在保护高速数据接口。典型电容仅为 0.2pF（I/O 到 I/O），旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合 IEC 61000-4-2（ESD）4 级（空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV）、IEC61000-4-4（电气快速瞬变-EFT）40A（5/50ns）、非常快速的带电设备模型（CDM）ESD 和电缆放电事件（CDE）等标准。可以保护四条高速数据线。超低电容、超小尺寸和高 ESD 鲁棒性的综合特性使其适用于高速数据端口和高频线路（如 HDMI 和 DVI）应用。低钳位电压可确保受保护 IC 承受的应力最小。

RoHSSMT扩展库

TPESD0534P

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

DFN2510-10

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C521927

反向截止电压(Vrwm)

5V

钳位电压

15V

击穿电压(VBR)

7.5V

反向电流(Ir)

500nA

描述这款低容4线静电放电（ESD）抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能，非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.

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