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高性能电流模式PWM控制器
UC3845BN
品牌
ST(意法半导体)
封装
DIP-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C5175
开关频率
52kHz
工作温度
0℃~+70℃

描述UC384xB系列控制IC具备实现离线或DC - DC固定频率电流模式控制方案所需的特性,且外部元件数量极少。内部集成的电路包括:一个经过微调的振荡器,用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制,启动电流小于0.5 mA;一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源;确保锁存操作的逻辑电路;一个同时提供电流限制控制的PWM比较器;以及一个图腾柱输出级,设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET,在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定(UVLO)阈值为16V(开启)和10V(关断),非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器,使输出每隔一个时钟周期关断,从而实现0至< 50%的占空比范围。

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近期成交27单

7.6V~30V
UC3845BNG
品牌
onsemi(安森美)
封装
PDIP-8
类目
AC-DC控制器和稳压器
编号
C5292
是否隔离
隔离
工作电压
7.6V~30V
开关频率
500kHz
耗散功率(Pd)
1.25W

描述UC3844B、UC3845B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和直流 - 直流转换器应用而设计,为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿基准源、高增益误差放大器、电流检测比较器和一个非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能,其中包括带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存器,以及一个触发器,该触发器每隔一个振荡周期将输出关断,允许将输出死区时间从50%编程到70%。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装(SOIC - 8)塑料封装,以及14引脚塑料表面贴装(SOIC - 14)封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级设有单独的电源和接地引脚。UCX844B的欠压锁定(UVLO)阈值为16V(开启)和10V(关断),非常适合离线转换器。UCX845B针对低电压应用进行了优化,其UVLO阈值为8.5V(开启)和7.6V(关断)。

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近期成交10单

7.6V~30V
UC3845BN(LX)
品牌
LX(灵星芯微)
封装
DIP-8
类目
AC-DC控制器和稳压器
编号
C22397226
工作电压
7.6V~30V
开关频率
49kHz~55kHz
最大占空比
48%
拓扑结构
升压式

描述UC3842/UC3843/UC3844/UC3845是固定频率电流模式PWM控制器。它们专为离线式和直流 - 直流转换器应用而设计,所需外部元件极少。这些集成电路具备经微调的振荡器,可实现精确的占空比控制,还配备温度补偿基准源、高增益误差放大器

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近期成交1单

7.6V~8.4V 1A
是否隔离
非隔离
工作电压
7.6V~8.4V
开关频率
500kHz
输出电流
1A

描述UC284x 和 UC384x 是固定频率电流模式 PWM 控制器。它们专为离线和 DC - DC 转换器应用而设计,所需外部元件极少。内部集成的电路包括用于精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿基准源、高增益误差放大器、电流感应比较器,以及非常适合驱动功率 MOSFET 的大电流图腾柱输出

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10V~30V 1A
UC2845BN
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
DIP-8
类目
AC-DC控制器和稳压器
编号
C19193451
工作电压
10V~30V
开关频率
100kHz~500kHz
输出电流
1A
最大占空比
50%

描述UC3845BN升级替代料,建议试样,AC-DC控制器和稳压器 工业级 PWM 控制器 纯国产

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近期成交3单

替代参考
30V 1A
UC3845AN(XBLW)
品牌
XBLW(芯伯乐)
封装
DIP-8
类目
AC-DC控制器和稳压器
编号
C18723592
工作电压
30V
开关频率
500kHz
输出电流
1A
耗散功率(Pd)
1W

描述脉冲宽度调制解调器 电流型脉宽调制器

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近期成交14单

替代参考
200mA 12V~28V
XD3845
品牌
XINLUDA(信路达)
封装
DIP-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C41371098
工作电压
12V~28V
输出电流
200mA
开关频率
100kHz~500kHz
工作温度
-25℃~+80℃

描述XD3845是一款高性能电流模式PWM控制器,适用于离线或内部实现电路。它包括精确的振荡器、误差放大器、PWM锁存器等。该芯片具有低启动电流和高输出峰值电流,适用于驱动N沟道MOSFET。

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