- 类目
- 栅极驱动芯片
- 品牌
- JSMSEMI(杰盛微)
- TECH PUBLIC(台舟)
- TI(德州仪器)
- UMW(友台半导体)
- WXNSIC(国硅集成)
- DOINGTER(杜因特)
- 3PEAK(思瑞浦)
多选 - 封装
- SOT-23-5
- TSOT-23-5
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 驱动配置
- 低边
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 4A
描述UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。 当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。
- 收藏
- 对比
- ￥1.7463
- ￥1.3997
- ￥1.2305
- ￥1.0796
- 现货
- 30
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 驱动配置
- 低边
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 4A
描述UMW UCC27517DBVR器件是一款用于功率MOSFET和IGBT的低电压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁CMOS技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。UMW UCC27517DBVR的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容
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- 对比
- ￥0.9164
- ￥0.715
- ￥0.6143
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- ￥0.4784
- ￥0.4482
- 现货
- 52K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 驱动配置
- 低边
- 负载类型
- MOSFET
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 300mA
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- 对比
- ￥0.804688
- ￥0.63612
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- ￥0.409564
- 现货
- 9670
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交61单
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 4A
- 拉电流(IOH)
- 4A
描述具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
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- 对比
- ￥1.034704
- ￥0.812944
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- ￥0.514888
- 现货
- 4295
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 驱动配置
- 低边
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 5A
描述单通道栅极驱动器 驱动配置：低边 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 采用 SOT-23-5 封装 具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
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- 对比
- ￥0.65544
- ￥0.52104
- ￥0.45384
- ￥0.40344
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- ￥0.322
- 现货
- 4470
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交68单
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 4A
- 拉电流(IOH)
- 4A
描述具有UVLO LSLTTL -40 to 125
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- 对比
- ￥3.7145
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- ￥2.66
- ￥2.3085
- ￥1.938
- ￥1.8335
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- 3296
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 驱动配置
- 低边
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 灌电流(IOL)
- 4A
- 拉电流(IOH)
- 4A
描述具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
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- 对比
- ￥2.312
- ￥1.832
- ￥1.624
- ￥1.36
- ￥1.2
- ￥1.128
- 现货
- 3102
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交39单
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 驱动通道数
- 2
- 灌电流(IOL)
- 4A
- 拉电流(IOH)
- 4A
描述单通道栅极驱动器 驱动配置：低边 负载类型：MOSFET；IGBT 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 采用 SOT-23-5 封装 具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
- 收藏
- 对比
- ￥1.71216
- ￥1.36944
- ￥1.22256
- ￥1.03936
- ￥0.95776
- ￥0.90872
- 现货
- 455
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交57单
- 驱动配置
- 低边
- 负载类型
- MOSFET
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 300mA
- 收藏
- 对比
- ￥1.18864
- ￥0.939664
- ￥0.83296
- ￥0.699884
- ￥0.640604
- ￥0.605036
- 现货
- 2985
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 灌电流(IOL)
- 4A
- 拉电流(IOH)
- 4A
- 工作电压
- 5V~20V
描述栅极驱动IC@@驱动配置：低边 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器
- 收藏
- 对比
- ￥1.328
- ￥1.16
- ￥1.088
- ￥1
- ￥0.96
- ￥0.936
- 现货
- 1490
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 驱动配置
- 低边
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 4A
描述单通道、双输入（IN+&IN-)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V
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- 对比
- ￥1.6181
- ￥1.2578
- ￥1.1034
- ￥0.9108
- 现货
- 2590
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 灌电流(IOL)
- 4A
- 拉电流(IOH)
- 4A
- 工作电压
- 5V~20V
描述栅极驱动IC@@驱动配置：低边 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器
- 收藏
- 对比
- ￥2.07
- ￥1.827
- ￥1.71
- ￥1.584
- ￥1.512
- ￥1.476
- 现货
- 741
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 驱动配置
- 低边
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 4A
描述单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。
- 收藏
- 对比
- ￥0.8257
- ￥0.6577
- ￥0.5737
- ￥0.5107
- 现货
- 730
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交73单
- 驱动配置
- 低边
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 300mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.9817
- ￥0.7549
- ￥0.6577
- ￥0.5365
- ￥0.4825
- ￥0.45
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交14单
