ULN2003A

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C482013

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

最大输入电压(VI)

30V

工作温度

-40℃~+85℃

描述ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路，由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用，且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻，可与 TTL 和 5V CMOS 兼容，无需逻辑缓冲器即可进行数据处理

RoHSSMT扩展库

ULN2003A

品牌

Mixic(中科芯亿达)

封装

SOP-16-150mil

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C181730

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述1、输出 500mA电流；2、40V可用于驱动继电器。

RoHSSMT扩展库

ULN2003AIDR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C94832

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003AI 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

RoHSSMT扩展库

ULN2003ALM/TR

品牌

HGSEMI(华冠)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C910870

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述50V 耐压、大电流复合晶体管阵列

SMT扩展库

ULN2003AIPWR

品牌

TI(德州仪器)

封装

TSSOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C141782

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003AI 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

RoHSSMT扩展库

ULN2003AN(XBLW)

品牌

XBLW(芯伯乐)

封装

DIP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C18723564

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述达林顿驱动 7通道达林顿晶体管阵列,工作电压（Vcc）(v50V,驱动电流 Iout(mA)500mA

RoHSSMT扩展库

ULN2003ADR2G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOIC-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C96639

通道数

七路

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

工作温度

-20℃~+85℃

描述这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

RoHSSMT扩展库

ULN2003ADTR(XBLW)

品牌

XBLW(芯伯乐)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C18723566

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述达林顿驱动 7通道达林顿晶体管阵列,工作电压（Vcc）(v50V,驱动电流 Iout(mA)500mA

RoHSSMT扩展库

ULN2003APWR

品牌

TI(德州仪器)

封装

TSSOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C126289

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

RoHSSMT扩展库

ULN2003AL

品牌

Mixic(中科芯亿达)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C19189740

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

24V

描述ULN2003AL 是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含七路独立的达林顿管驱动电路。电路内部设计有续流二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单路达林顿管集电极可输出 500mA 电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2003AL 的每一路达林顿管串联一个 2.7K 的基极电阻，在 5V 的工作电压下可直接与 TTL/CMOS 电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据

RoHSSMT扩展库

ULN2003AS16-13

品牌

DIODES(美台)

封装

SOIC-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C164883

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述高电压、高电流达林顿阵列，每个包含七个集电极开路共发射极对。每个对的额定电流为 500mA。包含用于电感负载驱动的抑制二极管。输入和输出引脚相对，以简化电路板布局。设备选项设计为与常见逻辑系列兼容，能够驱动各种负载，包括螺线管、继电器、直流电机、LED 显示器、白炽灯、热敏打印头和高功率缓冲器。有小型 16 引脚封装（SO-16）和 PDIP-16 封装可供选择。ULN2003A 还有用于小尺寸要求的 TSSOP-16（CJ 型）封装。

RoHSSMT扩展库

ULN2003A

品牌

LANKE(兰科)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C2875622

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003A是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含七个独立的达林顿管驱动单路。电路内部设计有续流二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2003A的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

RoHSSMT扩展库

ULN2003AN

品牌

HGSEMI(华冠)

封装

DIP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C7432319

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003A 是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个 NPN 达林顿管组成。所有单元共用发射极，每个单元采用开集电极输出。每一对达林 顿都串联一个 2.7K 的基极电阻，直接兼容 TTL 和 5VCMOS 电路，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。 ULN2003A 工作电压高，工作电流大，灌电流可达 500mA，并且能够在关态时承受 50V 的电压，输出还可以在高负载电流下并行运行， 很好的提供了需要多接口驱动电路的解决方案。

SMT扩展库

ULN2003AD

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C908113

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由7个NPN达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流

RoHSSMT扩展库

ULN2003A

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C41408112

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述是高压、大电流达林顿驱动器，由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元均具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。应用包括继电器、锤、灯和显示器 (LED) 驱动器。

ULN2003AFWG(C,NEHZA)

品牌

TOSHIBA(东芝)

封装

SOL-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C5331613

通道数

七路

最大输入电压(VI)

30V

工作温度

-40℃~+85℃

集电极漏电流(Icex)

50uA

描述是高电压、高电流达林顿驱动器，由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。

SMT扩展库

ULN2003ACM/TR

品牌

HGSEMI(华冠)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C910869

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述50V耐压、大电流复合晶体管阵列

SMT扩展库

ULN2003ADR2G-TP

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C41408113

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述是高电压、高电流达林顿驱动器，由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。应用包括继电器、锤、灯和显示器（LED）驱动器。

ULN2003AMT/TR

品牌

HGSEMI(华冠)

封装

TSSOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C5160096

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述7通道达林顿晶体管阵列

SMT扩展库

ULN2003A

品牌

CJ(江苏长电/长晶)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C17703112

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003A 是一款高压、大电流达林顿晶体管阵列。每个器件由七个可独立输出的 NPN 达林顿对组成。这些达林顿对具有公共发射极，支持高压输出，并配有共阴极钳位二极管，用于开关感性负载

RoHSSMT扩展库

ULN2003AIPWR(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

TSSOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C20617904

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路，由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用，且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻，可与 TTL 和 5V CMOS 兼容，无需逻辑缓冲器即可进行数据处理

RoHSSMT扩展库

BULN2003A

品牌

BORN(伯恩半导体)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C50338755

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述该产品是一款50V、500mA的达林顿晶体管阵列。该器件由七个NPN达林顿对组成，具有高电压输出和共阴极钳位二极管，用于开关感性负载。每个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。达林顿对可以并联连接以获得更高的电流能力。应用包括继电器驱动器、锤式驱动器、灯驱动器、显示驱动器（LED和气体放电）、线路驱动器和逻辑缓冲器。该产品每个达林顿对都有一个2.7kΩ的串联基极电阻，可直接与TTL或5V CMOS器件配合使用。

SMT扩展库

ULN2003ALQ/TR

品牌

HGSEMI(华冠)

封装

QFN-16(3x3)

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C52121510

描述达林顿阵列功率驱动集成电路

SMT扩展库

ULN2003APWR(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

TSSOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C20617905

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路，由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用，且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻，可与 TTL 和 5V CMOS 兼容，无需逻辑缓冲器即可进行数据处理

RoHSSMT扩展库