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ULN2003ADR
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C7512
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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ULN2003A
品牌
UMW(友台半导体)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C482013
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
最大输入电压(VI)
30V
工作温度
-40℃~+85℃

描述ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路,由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用,且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻,可与 TTL 和 5V CMOS 兼容,无需逻辑缓冲器即可进行数据处理

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近期成交100单+

ULN2003A
品牌
Mixic(中科芯亿达)
封装
SOP-16-150mil
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C181730
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述1、输出 500mA电流;2、40V可用于驱动继电器。

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近期成交100单+

高压、大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003AIDR
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C94832
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003AI 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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近期成交100单+

达林顿阵列功率驱动集成电路
ULN2003ALM/TR
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C910870
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述50V 耐压、大电流复合晶体管阵列

SMT扩展库

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近期成交44单

替代参考
ULN2003AN
ULN2003AN(XBLW)
品牌
XBLW(芯伯乐)
封装
DIP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C18723564
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述达林顿驱动 7通道达林顿晶体管阵列,工作电压(Vcc)(v50V,驱动电流 Iout(mA)500mA

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25/

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近期成交84单

达林顿阵列功率驱动集成电路
ULN2003AM/TR
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C253892
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述七路高增益达林顿阵列

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2500/圆盘

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近期成交52单

高压、大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003APWR
品牌
TI(德州仪器)
封装
TSSOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C126289
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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SMT补贴嘉立创库存5883
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5695

2000/圆盘

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近期成交100单+

高压、大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003AIPWR
品牌
TI(德州仪器)
封装
TSSOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C141782
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003AI 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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SMT补贴嘉立创库存5919
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5845

2000/圆盘

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近期成交69单

高压、大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003AN
品牌
TI(德州仪器)
封装
PDIP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C90448
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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SMT补贴嘉立创库存2853
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2501

25/

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近期成交81单

高压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C96639
通道数
七路
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V
工作温度
-20℃~+85℃

描述这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

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5060

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近期成交47单

高电压高电流达林顿晶体管阵列,包含七个开集电极共发射极对和抑制二极管,适用于驱动感性负载及多种负载如继电器和电机
ULN2003AES
品牌
GMIC(绿微)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C53260841
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

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11K+

2500/圆盘

总额0

近期成交53单

七路高耐压、大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003AL
品牌
Mixic(中科芯亿达)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C19189740
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
24V

描述ULN2003AL 是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列,电路内部包含七路独立的达林顿管驱动电路。电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单路达林顿管集电极可输出 500mA 电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2003AL 的每一路达林顿管串联一个 2.7K 的基极电阻,在 5V 的工作电压下可直接与 TTL/CMOS 电路连接,可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据

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SMT补贴嘉立创库存16K+
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3000/圆盘

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近期成交34单

高电压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003AD
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C908113
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由7个NPN达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流

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SMT补贴嘉立创库存4185
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3820

40/

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近期成交100单+

七路高耐压、大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003A
品牌
LANKE(兰科)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C2875622
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003A是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列,电路内部包含七个独立的达林顿管驱动单路。电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2003A的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接,可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

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6715

3000/圆盘

总额0

近期成交83单

高压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003AS16-13
品牌
DIODES(美台)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C164883
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述高电压、高电流达林顿阵列,每个包含七个集电极开路共发射极对。每个对的额定电流为 500mA。包含用于电感负载驱动的抑制二极管。输入和输出引脚相对,以简化电路板布局。设备选项设计为与常见逻辑系列兼容,能够驱动各种负载,包括螺线管、继电器、直流电机、LED 显示器、白炽灯、热敏打印头和高功率缓冲器。有小型 16 引脚封装(SO-16)和 PDIP-16 封装可供选择。ULN2003A 还有用于小尺寸要求的 TSSOP-16(CJ 型)封装。

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SMT补贴嘉立创库存5784
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5750

2500/圆盘

总额0

近期成交21单

ULN2003ADTR
ULN2003ADTR(XBLW)
品牌
XBLW(芯伯乐)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C18723566
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述达林顿驱动 7通道达林顿晶体管阵列,工作电压(Vcc)(v50V,驱动电流 Iout(mA)500mA

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6948
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6870

2500/圆盘

总额0

近期成交26单

高压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003A
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C17703112
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003A 是一款高压、大电流达林顿晶体管阵列。每个器件由七个可独立输出的 NPN 达林顿对组成。这些达林顿对具有公共发射极,支持高压输出,并配有共阴极钳位二极管,用于开关感性负载

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2488
私有库下单最高享92折
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2450

2500/圆盘

总额0

近期成交27单

达林顿阵列驱动IC
ULN2003APWR(UMW)
品牌
UMW(友台半导体)
封装
TSSOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C20617905
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路,由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用,且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻,可与 TTL 和 5V CMOS 兼容,无需逻辑缓冲器即可进行数据处理

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3360
私有库下单最高享92折
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3300

4000/圆盘

总额0

近期成交29单

达林顿阵列功率驱动集成电路
ULN2003AMT/TR
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
TSSOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C5160096
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述7通道达林顿晶体管阵列

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4424
私有库下单最高享92折
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  • 0.8771
  • 0.7043
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1980

2500/圆盘

总额0

近期成交62单

达林顿驱动电路
ULN2003A-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C19673785
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
集电极漏电流(Icex)
50uA

描述高电压、大电流达林顿晶体管阵列

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4470
私有库下单最高享92折
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8.3
  • 0.512691
  • 0.401139
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  • 0.322123
  • 0.288674
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4465

2500/圆盘

总额0

近期成交20单

达林顿阵列驱动IC
ULN2003AIPWR(UMW)
品牌
UMW(友台半导体)
封装
TSSOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C20617904
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路,由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用,且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻,可与 TTL 和 5V CMOS 兼容,无需逻辑缓冲器即可进行数据处理

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2323
私有库下单最高享92折
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  • 对比
  • 0.9255
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4000/圆盘

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近期成交21单

达林顿阵列功率驱动集成电路
ULN2003A
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C41408112
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述是高压、大电流达林顿驱动器,由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元均具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。应用包括继电器、锤、灯和显示器 (LED) 驱动器。

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2500/圆盘

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近期成交79单

7通道达林顿灌电流驱动器
通道数
七路
最大输入电压(VI)
30V
工作温度
-40℃~+85℃
集电极漏电流(Icex)
50uA

描述是高电压、高电流达林顿驱动器,由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。

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2000/圆盘

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近期成交37单

达林顿阵列功率驱动集成电路
ULN2003ADR2G-TP
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C41408113
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述是高电压、高电流达林顿驱动器,由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。应用包括继电器、锤、灯和显示器(LED)驱动器。

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2500/圆盘

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近期成交9单

达林顿晶体管阵列
BULN2003A
品牌
BORN(伯恩半导体)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C50338755
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述该产品是一款50V、500mA的达林顿晶体管阵列。该器件由七个NPN达林顿对组成,具有高电压输出和共阴极钳位二极管,用于开关感性负载。每个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。达林顿对可以并联连接以获得更高的电流能力。应用包括继电器驱动器、锤式驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。该产品每个达林顿对都有一个2.7kΩ的串联基极电阻,可直接与TTL或5V CMOS器件配合使用。

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近期成交7单

七路高增益达林顿阵列功率驱动集成电路,内置钳位二极管,可与TTL、CMOS、PMOS直接连接
ULN2003ALQ/TR
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
QFN-16(3x3)
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C52121510

描述达林顿阵列功率驱动集成电路

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近期成交6单

七路高增益达林顿阵列功率驱动集成电路
ULN2003AN
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
DIP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C7432319
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003A 是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个 NPN 达林顿管组成。所有单元共用发射极,每个单元采用开集电极输出。每一对达林 顿都串联一个 2.7K 的基极电阻,直接兼容 TTL 和 5VCMOS 电路,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。 ULN2003A 工作电压高,工作电流大,灌电流可达 500mA,并且能够在关态时承受 50V 的电压,输出还可以在高负载电流下并行运行, 很好的提供了需要多接口驱动电路的解决方案。

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近期成交14单

达林顿阵列功率驱动集成电路
ULN2003ACM/TR
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C910869
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述50V耐压、大电流复合晶体管阵列

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近期成交16单

ULN2003AFWG
ULN2003AFWG
品牌
TOSHIBA(东芝)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C5437
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA

描述达林顿驱动器,7通道(7-ch)

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