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ULN2003ADR
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C7512
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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高压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C96639
通道数
七路
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V
工作温度
-20℃~+85℃

描述这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

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近期成交43单

ULN2003ADTR
ULN2003ADTR(XBLW)
品牌
XBLW(芯伯乐)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C18723566
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述达林顿驱动 7通道达林顿晶体管阵列,工作电压(Vcc)(v50V,驱动电流 Iout(mA)500mA

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近期成交21单

达林顿阵列功率驱动集成电路
ULN2003ADR2G-TP
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C41408113
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述是高电压、高电流达林顿驱动器,由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。应用包括继电器、锤、灯和显示器(LED)驱动器。

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近期成交9单

高电压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003AD
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C908113
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由7个NPN达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流

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近期成交100单+

高压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003ADR-MS
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C47020996
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003ADR-MS是一款高耐压、大电流复合晶体管阵列,电流增益高,输入兼容性好、工作温度范围宽,被广泛应用于电机驱动、继电器控制、显示驱动、逻辑缓冲、传感器应用

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3500/圆盘

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近期成交4单

ULN2003AD16-U-01
ULN2003AD16-U-01
品牌
DIODES(美台)
封装
PDIP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C33471851

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近期成交2单

七路达林顿晶体管阵列
ULN2003ADR(LX)
品牌
LX(灵星芯微)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C41413605
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003A内部包含七个独立的达林顿管驱动电路,每路达林顿管输入均串联一个2.7K的基极电阻,输出内置续流二极管,单路达林顿管最大可输出 500mA 电流,多路并联可承受更大的电流。该电路主要应用于照明驱动、继电器驱动、步进电机驱动和逻辑缓冲器等。

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4000/圆盘

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近期成交13单

高电压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003ADYYR
品牌
TI(德州仪器)
封装
TSOT-23-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C42063608
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULx200xA器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由7个NPN达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。

TI直供直供

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3000/圆盘

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近期成交18单

ULN2003AD
ULN2003AD
品牌
HTC
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C481663
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

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ULN2003ADRG3
ULN2003ADRG3
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOP-16
类目
功率电子开关
编号
C913848
类型
低侧开关
输入控制逻辑
高电平有效
工作电压
0V~50V
导通电阻
2.7kΩ

描述高电压、大电流达林顿晶体管阵列 16-SOIC -40 to 70

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七路高耐压、大电流达林顿晶体管阵列
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述输出 500mA 电流,耐高50V 电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器、 该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻 辑缓冲器

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ULN2003ADR2G-TUDI

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替代参考
ULN2003A
品牌
Mixic(中科芯亿达)
封装
SOP-16-150mil
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C181730
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述1、输出 500mA电流;2、40V可用于驱动继电器。

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替代参考
500-mA额定集电极电流、50V高压输出达林顿晶体管阵列
CBM2003AS16
品牌
Corebai(芯佰微)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C692892
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述是高压、大电流达林顿晶体管阵列。每个阵列由七个 NPN 达林顿对组成,具有带共阴极钳位二极管的高压输出,用于切换感性负载。单个达林顿对的集电极电流额定值为 500 mA。达林顿对可以并联以获得更高的电流能力。应用包括继电器驱动器、锤驱动器、灯驱动器、显示器驱动器(LED 和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。每个达林顿对都有一个 2.7 kΩ 的串联基极电阻,可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件配合使用。

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SMT补贴嘉立创库存2135
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2500/圆盘

总额0

近期成交4单

替代参考
七通道达林顿管驱动电路
AiP2003
品牌
I-CORE(中微爱芯)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C194064
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述7通道50V/500mA达林顿驱动芯片

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