ULN2003ADR2G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOIC-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C96639

通道数

七路

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

工作温度

-20℃~+85℃

描述这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

RoHSSMT扩展库

ULN2003ADR2G-TP

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C41408113

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述是高电压、高电流达林顿驱动器，由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。应用包括继电器、锤、灯和显示器（LED）驱动器。

ULN2003ADR(LX)

品牌

LX(灵星芯微)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C41413605

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003A内部包含七个独立的达林顿管驱动电路，每路达林顿管输入均串联一个2.7K的基极电阻，输出内置续流二极管，单路达林顿管最大可输出 500mA 电流，多路并联可承受更大的电流。该电路主要应用于照明驱动、继电器驱动、步进电机驱动和逻辑缓冲器等。

ULN2003ADR-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C47020996

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003ADR-MS是一款高耐压、大电流复合晶体管阵列，电流增益高，输入兼容性好、工作温度范围宽，被广泛应用于电机驱动、继电器控制、显示驱动、逻辑缓冲、传感器应用

RoHSSMT扩展库

ULN2003ADRG3

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOP-16

类目

功率电子开关

编号

C913848

类型

低侧开关

输入控制逻辑

高电平有效

工作电压

0V~50V

导通电阻

2.7kΩ

描述高电压、大电流达林顿晶体管阵列 16-SOIC -40 to 70

ULN2003ADRE4

品牌

TI(德州仪器)

封装

-

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C21797644

ULN2003AM/TR

品牌

HGSEMI(华冠)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C253892

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述七路高增益达林顿阵列

SMT扩展库

ULN2003G-S16-R

品牌

UTC(友顺)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C73286

通道数

七路

最大输入电压(VI)

30V

工作温度

-40℃~+85℃

集电极漏电流(Icex)

50uA

描述达林顿驱动器，7通道（7-ch）

SMT扩展库

ULN2003A-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C19673785

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

集电极漏电流(Icex)

50uA

描述高电压、大电流达林顿晶体管阵列

SMT扩展库

ULN2003ACM/TR

品牌

HGSEMI(华冠)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C910869

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述50V耐压、大电流复合晶体管阵列

SMT扩展库

ULN2003LVM/TR

品牌

HGSEMI(华冠)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C7432194

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述ULN2003LV 是多通道灌电流驱动器，由 7 通道输出级组成。ULN2003LV 灌电流驱动器具有 7 个低输出阻抗驱动器，可将片上功耗降至最低，是实际应用中广受欢迎的 ULN2003A 系列的低功耗升级版。在驱动典型的 12V 继电器线圈时，与 ULN2003A 相比，ULN2003LV 的功耗降低 12 倍

SMT扩展库

ULN2003IDRG

品牌

HGC(深圳汉芯)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C5145451

通道数

七路

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

工作温度

-40℃~+85℃

描述七路高耐压、大电流达林顿晶体管阵列

RoHSSMT扩展库

TPM2003C-SO3R

品牌

3PEAK(思瑞浦)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C45073164

RoHSSMT扩展库

HT2003ARZ

品牌

HTCSEMI(海天芯)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C2834450

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

工作温度

-40℃~+85℃

描述具有额定50V/500mA驱动能力的晶体阵列器

RoHSSMT扩展库

ULN2003A

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C5279080

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述达林顿阵列功率驱动集成电路

RoHSSMT扩展库

ULN2003

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C6851442

通道数

七路

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

集电极漏电流(Icex)

50uA

描述这款高性能七路达林顿晶体管阵列采用SOP-16封装，专为高效驱动多种负载设计。每个通道可承载最高50V输出电压和30V输入电压，并提供连续500mA的集电极电流，确保强大而稳定的开关性能。适用于驱动继电器、LED、步进电机和其他高电流需求外设，是智能家居设备及嵌入式系统中理想的集成驱动解决方案，有效简化电路并增强可靠性。

WB2003F

品牌

Waferbest(匠芯微)

封装

SOP-16

类目

达林顿晶体管阵列

编号

C45986618

通道数

七路

集射极击穿电压(Vceo)

50V

集电极电流(Ic)

500mA

最大输入电压(VI)

30V

描述WB2003是高压大电流达林顿晶体管阵列，每个阵列包含七对开路集电极共发射极对。每对对的额定电流为500mA。为驱动电感性负载，阵列中包含抑制二极管，输入和输出引脚位置相反，以简化电路板布局。这些设备能够驱动多种负载，包括电磁铁、继电器、直流电机、LED显示屏、白炽灯、热敏打印头以及大功率缓冲器。