- 类目
- 达林顿晶体管阵列
- 品牌
- XBLW(芯伯乐)
- HGSEMI(华冠)
- Mixic(中科芯亿达)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
- HGC(深圳汉芯)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- KTP(科泰普)
- Tudi(钍地半导体)
- UTC(友顺)
- HTC
- ZHHXDZ(海芯电子)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOP-16
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- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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操作
- 通道数
- 七路
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
- 工作温度
- -20℃~+85℃
描述这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。
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- 通道数
- 七路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述是高电压、高电流达林顿驱动器，由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。应用包括继电器、锤、灯和显示器（LED）驱动器。
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- 通道数
- 七路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述1、输出 500mA电流；2、40V可用于驱动继电器。
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- 通道数
- 七路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述50V 耐压、大电流复合晶体管阵列
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- 通道数
- 七路
- 最大输入电压(VI)
- 30V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
- 集电极漏电流(Icex)
- 50uA
描述达林顿驱动器，7通道（7-ch）
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- 通道数
- 七路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述达林顿驱动 7通道达林顿晶体管阵列,工作电压（Vcc）(v50V,驱动电流 Iout(mA)500mA
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- 通道数
- 七路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集电极漏电流(Icex)
- 50uA
描述高电压、大电流达林顿晶体管阵列
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- 通道数
- 七路
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述七路高耐压、大电流达林顿晶体管阵列
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- 通道数
- 七路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述小家电驱动，7路达林顿晶体管，
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- 通道数
- 七路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述达林顿阵列功率驱动集成电路
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- 通道数
- 七路
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
- 集电极漏电流(Icex)
- 50uA
描述这款高性能七路达林顿晶体管阵列采用SOP-16封装，专为高效驱动多种负载设计。每个通道可承载最高50V输出电压和30V输入电压，并提供连续500mA的集电极电流，确保强大而稳定的开关性能。适用于驱动继电器、LED、步进电机和其他高电流需求外设，是智能家居设备及嵌入式系统中理想的集成驱动解决方案，有效简化电路并增强可靠性。
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- 对比
- 通道数
- 七路
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集电极漏电流(Icex)
- 15uA
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 900mV@250uA,100mA
描述HX2003-S/HX2003-P为七达林顿阵列，耐压高，且集成了输出嵌位保护二极管，应用于继电器阵列驱动等驱动线路。
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