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高压、大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003AIDR
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C94832
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003AI 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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高压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003AIDR-MS
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C47020997
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述ULN2003AIDR-MS是一款高耐压、大电流复合晶体管阵列,电流增益高,输入兼容性好、工作温度范围宽,被广泛应用于电机驱动、继电器控制、显示驱动、逻辑缓冲、传感器应用

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ULN2003AIDRG4
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-16
类目
功率电子开关
编号
C2878057
通道数
7
输入控制逻辑
高电平有效
工作电压
0V~50V
导通电阻
900mΩ

描述高电压、大电流达林顿晶体管阵列 16-SOIC -40 to 105

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高电压大电流达林顿晶体管阵列
ULN2003AIDRE4
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-16
类目
功率电子开关
编号
C3234697
类型
低侧开关
通道数
7
输入控制逻辑
高电平有效
工作电压
0V~50V

描述ULx200xA 器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN 达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。 单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。

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替代参考
ULN2003ADTR
ULN2003ADTR(XBLW)
品牌
XBLW(芯伯乐)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C18723566
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述达林顿驱动 7通道达林顿晶体管阵列,工作电压(Vcc)(v50V,驱动电流 Iout(mA)500mA

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替代参考
达林顿阵列功率驱动集成电路
ULN2003ADR2G-TP
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C41408113
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述是高电压、高电流达林顿驱动器,由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。应用包括继电器、锤、灯和显示器(LED)驱动器。

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替代参考
7通道达林顿灌电流驱动器
XL2003
品牌
XINLUDA(信路达)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C561288
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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近期成交12单

替代参考
高压大电流达林顿晶体管阵列
HT2003ARZ
品牌
HTCSEMI(海天芯)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C2834450
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
工作温度
-40℃~+85℃

描述具有额定50V/500mA驱动能力的晶体阵列器

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近期成交4单

替代参考
七路 Vceo: 50V 电压(VI): 30V 停产
通道数
七路
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V
集电极漏电流(Icex)
50uA

描述这款高性能七路达林顿晶体管阵列采用SOP-16封装,专为高效驱动多种负载设计。每个通道可承载最高50V输出电压和30V输入电压,并提供连续500mA的集电极电流,确保强大而稳定的开关性能。适用于驱动继电器、LED、步进电机和其他高电流需求外设,是智能家居设备及嵌入式系统中理想的集成驱动解决方案,有效简化电路并增强可靠性。

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替代参考
HX2003-S为七达林顿阵列,耐压高,且集成了输出嵌位保护二极管,应用于继电器阵列驱动等驱动线路.
HX2003-S
品牌
ZHHXDZ(海芯电子)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C20625089
通道数
七路
集电极电流(Ic)
500mA
集电极漏电流(Icex)
15uA
集射极饱和电压(VCE(sat))
900mV@250uA,100mA

描述HX2003-S/HX2003-P为七达林顿阵列,耐压高,且集成了输出嵌位保护二极管,应用于继电器阵列驱动等驱动线路。

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