收起筛选
- 类目
- 达林顿晶体管阵列
- 达林顿管
多选 - 品牌
- TI(德州仪器)
- HGC(深圳汉芯)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- XBLW(芯伯乐)
- HTC
多选 - 封装
- SOP-18
- SOP-18-300mil
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数8
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述ULN2803A 达林顿晶体管阵列
RoHS
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- 对比
- ￥55.358288
- ￥52.282828
- ￥45.106753
- ￥41.518715
订货1-3个工作日
- 库存
- 5236
- 增量
- 1
- 最小包装
- 2000个
个
总额￥0
- 通道数
- 八路
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 50V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述NPN 达林顿晶体管达林顿晶体管阵列驱动
- 收藏
- 对比
- ￥1.14
- ￥0.9132
- ￥0.816
- ￥0.6948
- ￥0.5356
- ￥0.5031
现货最快4小时发货
- 现货
- 27K+
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述该达林顿晶体管阵列是一款集成八路独立达林顿对管的功率放大器件，适用于高增益、高电流驱动场景。每通道集电极与发射极之间的最大击穿电压为50V，允许通过的最大集电极电流为500mA，具备较强的负载驱动能力。输入端可承受最高30V电压，增强了信号适配性。该器件广泛用于自动化控制、智能家电、仪器仪表及通信设备中，实现弱电信号对强电负载的有效控制。
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- 对比
9.5折
- ￥24.89
- ￥21.5745
- ￥19.608
- ￥17.6225
- ￥16.701
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- 现货
- 44
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
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- 对比
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
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- 对比
- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 1.6V@500uA,350mA
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- 对比
替代参考
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述ULN2803A 是单片高压、大电流达林顿晶体管阵列。每个阵列由八个 NPN 达林顿对组成，其特点是具有带共阴极钳位二极管的高压输出，用于切换电感负载。单个达林顿对的集电极电流额定值为 500 mA
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- 对比
- ￥4.23
- ￥3.33
- ￥2.94
- ￥2.46
- ￥2.25
- ￥2.12
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- 现货
- 5371
1500个/圆盘
个
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近期成交52单
替代参考
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述达林顿驱动 8通道达林顿晶体管阵列,工作电压（Vcc）(v50V,驱动电流 Iout(mA)500mA
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近期成交7单
