- 类目
- 达林顿晶体管阵列
- 品牌
- Mixic(中科芯亿达)
- TI(德州仪器)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- XBLW(芯伯乐)
- HGSEMI(华冠)
- Silicore(芯谷)
- XINLUDA(信路达)
- TECH PUBLIC(台舟)
- HTCSEMI(海天芯)
- HGC(深圳汉芯)
- HTC
多选 - 封装
- SOP-18
- SOP-18-300mil
- QFN-20-EP(4x4)
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述ULN2803A 达林顿晶体管阵列
- 收藏
- 对比
- ￥37.94
- ￥32.96
- ￥29.93
- ￥27.39
- 现货
- 1032
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交46单
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述该达林顿晶体管阵列是一款集成八路独立达林顿对管的功率放大器件，适用于高增益、高电流驱动场景。每通道集电极与发射极之间的最大击穿电压为50V，允许通过的最大集电极电流为500mA，具备较强的负载驱动能力。输入端可承受最高30V电压，增强了信号适配性。该器件广泛用于自动化控制、智能家电、仪器仪表及通信设备中，实现弱电信号对强电负载的有效控制。
- 收藏
- 对比
- ￥24.89
- ￥21.5745
- ￥19.608
- ￥17.6225
- ￥16.701
- ￥16.2925
- 现货
- 283
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
- 收藏
- 对比
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述1、500mA集电极输出电流(单路)； 2、耐高压(50V)； 3、输入兼容 TTL/CMOS逻辑信号； 4、广泛应用于继电器驱动； 5、静电能力：2000V（HBM）
- 收藏
- 对比
- ￥1.6215
- ￥1.2956
- ￥1.1365
- ￥0.8678
- ￥0.8288
- ￥0.8054
- 现货
- 91K+
1500个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 通道数
- 八路
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 50V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述NPN 达林顿晶体管达林顿晶体管阵列驱动
- 收藏
- 对比
- ￥1.14
- ￥0.9132
- ￥0.816
- ￥0.6948
- ￥0.5356
- ￥0.5031
- 现货
- 35K+
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述八 NPN 达林顿晶体管
- 收藏
- 对比
- ￥1.3954
- ￥1.093
- ￥0.9634
- ￥0.8017
- ￥0.7297
- ￥0.6864
- 现货
- 5200
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交51单
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述ULN2803A 是单片高压、大电流达林顿晶体管阵列。每个阵列由八个 NPN 达林顿对组成，其特点是具有带共阴极钳位二极管的高压输出，用于切换电感负载。单个达林顿对的集电极电流额定值为 500 mA
- 收藏
- 对比
- ￥3.82
- ￥2.92
- ￥2.54
- ￥2.06
- ￥1.84
- ￥1.72
- 现货
- 2746
1500个/圆盘
总额￥0
近期成交51单
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述这款内部集成了8个NPN达林顿晶体管，连接的阵列，非常适合逻辑接口电平数字电路和较高的电流/电压，如电灯，电磁阀，继电器，打印机或其他类似的负载。广泛应用于计算机，工业和消费类产品中。
- 收藏
- 对比
- ￥0.923875
- ￥0.72903
- ￥0.645525
- ￥0.54131
- ￥0.49495
- ￥0.46702
- 现货
- 2035
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交93单
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述ULN2803是一个50V、500mA达林顿晶体管阵列。该器件由八个NPN达林顿对组成
- 收藏
- 对比
- ￥0.761805
- ￥0.602205
- ￥0.522405
- ￥0.462555
- ￥0.414675
- ￥0.390735
- 现货
- 3445
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交20单
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 最大输入电压(VI)
- 30V
- 工作温度
- -65℃~+150℃
描述达林顿驱动器，8通道（8-ch）
- 收藏
- 对比
- ￥1.9315
- ￥1.5434
- ￥1.3771
- ￥1.1695
- 现货
- 525
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交41单
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述1、500mA集电极输出电流(单路)； 2、超小型封装；3、耐高压(50V)； 4、输入兼容 TTL/CMOS逻辑信号； 5、广泛应用于继电器驱动； 6、静电能力：2000V（HBM）
- 收藏
- 对比
- ￥1.3327
- ￥1.0807
- ￥0.9727
- ￥0.8379
- ￥0.5898
- ￥0.5538
- 现货
- 160
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交85单
- 通道数
- 八路
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述专为低压系统设计的大电流达林顿管阵列，电路由八个独立的达林顿管组成，每个达林顿管带有续流二极管，可用于驱动继电器、步进电机等感性负载
- 收藏
- 对比
- ￥1.1873
- ￥0.8585
- ￥0.7553
- ￥0.6266
- ￥0.5693
- ￥0.5349
- 现货
- 130
40个/管
总额￥0
近期成交6单
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
描述达林顿驱动 8通道达林顿晶体管阵列,工作电压（Vcc）(v50V,驱动电流 Iout(mA)500mA
- 收藏
- 对比
- 通道数
- 八路
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述八通道高电压，大电流达林顿晶体管阵列
- 收藏
- 对比
- ￥2.47
- ￥1.96
- ￥1.75
- ￥1.48
- ￥1.36
- ￥1.12
- 现货
- 1962
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 通道数
- 八路
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 最大输入电压(VI)
- 30V
- 集电极漏电流(Icex)
- 50uA
描述此款达林顿晶体管阵列采用紧凑型SOP-18封装，内含八个独立高耐压通道。每个通道支持高达50V的输出电压和30V的输入电压，提供强大的500mA集电极电流能力。特别适合驱动各类大电流负载，如继电器、LED阵列或马达等。卓越的集成设计简化了电路布局，节省空间并确保可靠的开关性能，是智能家居及各种电子设备的理想选择。
- 收藏
- 对比
- 通道数
- 八路
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述1、500mA集电极输出电流(单路)； 2、耐高压(50V)； 3、输入兼容 TTL/CMOS逻辑信号； 4、广泛应用于继电器驱动； 5、静电能力：2000V（HBM）
- 收藏
- 对比
