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型号/品牌/封装/类目
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优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 7.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V
描述这款新一代沟槽式 MOSFET 具有独特的结构，兼具低导通电阻和快速开关的优势，非常适合高效电源管理应用。
- 收藏
- 对比
- ￥8.94
- ￥7.77
- ￥7.13
- ￥6.4
- ￥6.08
- ￥5.94
现货最快4小时发货
- 现货
- 1349
1000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交15单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 28mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、LED驱动器等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；7A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
- ￥1.46
- ￥1.43
- ￥1.4
- ￥1.38
现货最快4小时发货
- 现货
- 50
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 36mΩ@10V
描述HSL10N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSL10N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥0.6968
- ￥0.6814
- ￥0.6711
- ￥0.6608
现货最快4小时发货
- 现货
- 295
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交35单
