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ZXTN2010ZTA
品牌
DIODES(美台)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C122575
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
5A
集射极击穿电压(Vceo)
60V
耗散功率(Pd)
2.1W

描述特性:BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ,低等效导通电阻。 低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A,高电流增益保持。 互补 PNP 类型。应用:应急照明电路。 电机驱动(包括直流风扇)

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71K+

1000/圆盘

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近期成交100单+

NPN通用晶体管
TPZXTN2010ZTA
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-89-3
类目
三极管(BJT)
编号
C51939676
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
5.2A
集射极击穿电压(Vceo)
60V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:消费电子。 电压开关。 高速开关

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SMT补贴嘉立创库存860
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860

1000/圆盘

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近期成交1单

4.5A 60V
ZXTN2010ZTA-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-89-3
类目
三极管(BJT)
编号
C49006728
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
4.5A
集射极击穿电压(Vceo)
60V
耗散功率(Pd)
1W

描述封装: SOT-89-3 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):5A 集射极击穿电压(Vceo):60V 功率: 2.1W

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1000/圆盘

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近期成交2单

替代参考
NPN 5.2A 60V
TPBT60N5T3
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-89-3
类目
三极管(BJT)
编号
C51939633
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
5.2A
集射极击穿电压(Vceo)
60V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:消费电子。 电压切换。 高速切换

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