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X32 低功耗双倍数据速率 4(LPDDR4)/低功耗双倍数据速率 4X(LPDDR4X)同步动态随机存取存储器(SDRAM)
MT53D512M32D2DS-053 WT:D
品牌
micron(镁光)
封装
WFBGA-200
类目
DDR SDRAM
编号
C476209
存储器构架(格式)
LPDDR4 SDRAM
时钟频率(fc)
1.866GHz
存储容量
16Gbit
工作电压
1.1V

描述特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V(标称值1.80V),VDD2(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V),VDDQ(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V)或低VDDQ = 0.57-0.65V(标称值0.60V)。 频率范围2133-10 MHz(数据速率范围:4266-20 Mb/s/pin)。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体,用于并发操作

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2000/圆盘

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X32 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
MT53D512M32D2DS-046 WT:D
品牌
micron(镁光)
封装
WFBGA-200(10x14.5)
类目
DDR SDRAM
编号
C22437469
存储器构架(格式)
LPDDR4 SDRAM
时钟频率(fc)
2.133GHz
存储容量
16Gbit
工作电压
1.1V

描述特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V(标称1.80V),VDD2(overline) = 1.06-1.17V(标称1.10V),VDDQ(overline) = 1.10V(标称)或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V(标称0.60V)。 频率范围2133-10 MHz(数据速率范围:4266-20 Mb/s/Pin)。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体,可并发操作

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X32 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
MT53D512M32D2DS-046 IT:D
品牌
micron(镁光)
封装
WFBGA-200(10x14.5)
类目
DDR SDRAM
编号
C22437470
存储器构架(格式)
LPDDR4 SDRAM
时钟频率(fc)
2.133GHz
存储容量
16Gbit
工作电压
1.1V

描述特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V(标称值1.80V),VDD2(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V),VDDQ(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V)或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V(标称值0.60V)。 频率范围2133-10MHz(数据速率范围:4266-20Mb/s/pin)。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体,用于并发操作

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2000/圆盘

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停产 MT53D512M32D2DS-053 WT:D
MT53D512M32D2DS-053 WT:D
品牌
micron(镁光)
封装
WFBGA-200
类目
DDR SDRAM
编号
C427721
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MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
品牌
micron(镁光)
封装
WFBGA-200
类目
DDR SDRAM
编号
C5330487
存储器构架(格式)
LPDDR4 SDRAM
时钟频率(fc)
1.866GHz
存储容量
16Gbit
工作电压
1.1V
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停产 MT53D512M32D2DS-046 WT:D
MT53D512M32D2DS-046 WT:D
品牌
micron(镁光)
封装
WFBGA-200
类目
DDR SDRAM
编号
C712510
存储器构架(格式)
LPDDR4 SDRAM
时钟频率(fc)
2.133GHz
存储容量
16Gbit
工作电压
570mV~650mV
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存储容量
16Gbit
时钟频率(fc)
1.866GHz
工作电压
1.1V
工作温度
-40℃~+95℃

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2000/圆盘

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存储容量
16Gbit
时钟频率(fc)
2.133GHz
工作电压
1.1V
工作温度
-40℃~+105℃

RoHSSMT扩展库

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2000/

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MT53D512M32D2DS-046?AAT:D
品牌
micron(镁光)
封装
WFBGA-200
类目
预售新品
编号
C3345110

SMT扩展库

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1360/托盘

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X16/x32 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D
品牌
micron(镁光)
封装
200-WFBGA (10x14.5)
类目
DDR SDRAM
编号
C20556116
存储器构架(格式)
LPDDR4 SDRAM
时钟频率(fc)
1.866GHz
存储容量
16Gbit
工作电压
1.1V
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MT53D512M32D2DS-053 AUT:D TR
存储容量
16Gbit
时钟频率(fc)
1.866GHz
工作电压
1.1V
工作温度
-40℃~+125℃
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MT53D512M32D2DS-046 AUT:D
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D
品牌
micron(镁光)
封装
200-WFBGA (10x14.5)
类目
同步动态随机存取内存(SDRAM)
编号
C20553810
存储容量
16Gbit
时钟频率(fc)
2.133GHz
工作电压
1.1V
工作温度
-40℃~+125℃
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MT53D512M32D2DS-046 AIT:D
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D
品牌
micron(镁光)
封装
200-WFBGA (10x14.5)
类目
同步动态随机存取内存(SDRAM)
编号
C20553892
存储容量
16Gbit
时钟频率(fc)
2.133GHz
工作电压
1.1V
工作温度
-40℃~+95℃
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MT53D512M32D2DS-053 AUT:D
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D
品牌
micron(镁光)
封装
200-WFBGA (10x14.5)
类目
同步动态随机存取内存(SDRAM)
编号
C20553923
存储容量
16Gbit
时钟频率(fc)
1.866GHz
工作电压
1.1V
工作温度
-40℃~+125℃
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MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR
存储容量
16Gbit
时钟频率(fc)
2.133GHz
工作电压
1.1V
工作温度
-40℃~+95℃
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MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR
存储容量
16Gbit
时钟频率(fc)
1.866GHz
工作电压
1.1V
工作温度
-40℃~+105℃
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MT53D512M32D2DS-046 AAT:D
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D
品牌
micron(镁光)
封装
200-WFBGA (10x14.5)
类目
同步动态随机存取内存(SDRAM)
编号
C20554760
存储容量
16Gbit
时钟频率(fc)
2.133GHz
工作电压
1.1V
工作温度
-40℃~+105℃
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MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR
存储容量
16Gbit
时钟频率(fc)
2.133GHz
工作电压
1.1V
工作温度
-40℃~+125℃
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